|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом
Е. В. Фоминa, А. Д. Бондаревb, И. П. Сошниковbc, N. B. Bercud, L. Giraudetd, M. Molinarid, T. Maurere, Н. А. Пихтинab a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Laboratoire de Recherche en Nanosciences, Université de Reims Champagne-Ardenne, Reims, France
e Laboratoire de Nanotechnologie et d’Instrumentation Optique, ICD CNRS UMR 6281, Université de Technologie de Troyes,
Troyes, France
Аннотация:
Представлены результаты синтеза методом реактивного ионно-плазменного распыления тонких пленок нитрида алюминия и исследования их свойств с целью применения в качестве защитных покрытий торцевых резонаторов мощных полупроводниковых лазерных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Исследования методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и результаты эллипсометрии показали, что при остаточном давлении в камере порядка $\sim$10$^{-5}$ Torr в пленках образуется слой оксинитрида алюминия. При этом гетерограница пленка-подложка может претерпеть окисление. Однако пленки AlN толщиной порядка 100 nm, выращенные в среде чистого азота при остаточном давлении $\sim$10$^{-7}$ Torr, по-видимому, не содержат в составе кислород и могут надежно препятствовать его проникновению в область гетерограницы. Потенциально они могут служить эффективной защитой для гетероструктур, чувствительных к окислению.
Ключевые слова:
полупроводниковые лазеры, тонкие пленки, пассивация, нитрид алюминия, деградация лазеров.
Поступила в редакцию: 28.10.2019 Исправленный вариант: 16.12.2019 Принята в печать: 16.12.2019
Образец цитирования:
Е. В. Фомин, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, N. B. Bercu, L. Giraudet, M. Molinari, T. Maurer, Н. А. Пихтин, “Применение покрытий AlN для защиты поверхности гетероструктур системы AlGaAs/GaAs от взаимодействия с атмосферным кислородом”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 16–19; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 268–271
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5153 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i6/p16
|
|