Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1714–1717
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48632.9218 (Mi phts5340) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs

Л. Б. Карлинаa, А. С. Власовa, М. З. Шварцa, И. П. Сошниковab, И. П. Смирноваa, Ф. Э. Комиссаренкоc, А. В. Анкудиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (664 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48632.9218
Аннотация: Впервые рассмотрена возможность использования латеральных наноструктур Ga(In)AsP, выращенных каталитическим методом в квазизамкнутом объеме из паров фосфора и индия на поверхности GaAs (100) в качестве антиотражающего покрытия для фотоэлектрических приборов. Показано, что при фиксированной температуре роста возможно управление морфологией поверхности путем изменения времени роста. Морфологию поверхности исследовали методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показана связь структуры поверхности с ее антиотражательными свойствами в диапазоне 400–800 нм. Использование данного покрытия в фотоэлементах на основе GaAs показало существенное увеличение внешнего квантового выхода фотопреобразователей.
Ключевые слова: наноструктуры, каталитический рост, Ga(In)AsP, антиотражающее покрытие.
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1705–1708
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717; Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarVlaShv19}
\by Л.~Б.~Карлина, А.~С.~Власов, М.~З.~Шварц, И.~П.~Сошников, И.~П.~Смирнова, Ф.~Э.~Комиссаренко, А.~В.~Анкудинов
\paper Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1714--1717
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5340}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48632.9218}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848203}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1705--1708
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5340
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1714
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024