|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. Абдурахманов, В. И. Шиманский, Б. Л. Оксенгендлер, Б. Е. Умирзаков, А. Н. Уроков, “Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла”, ЖТФ, 91:2 (2021), 281–286   ; G. Abdurakhmanov, V. I. Shimanski, B. L. Oksengendler, B. E. Umirzakov, A. N. Urokov, “Pseudogap, nanocrystals and electrical conductivity of doped silicate glass”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 269–274  |
4
|
| 2. |
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Р. М. Ёркулов, Р. Х. Ашуров, В. М. Ротштейн, “Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1045–1048 |
| 3. |
З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, С. С. Насриддинов, З. Э. Мухтаров, Р. М. Ёркулов, “Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 12–14 |
| 4. |
Б. Е. Умирзаков, Ж. Ш. Содикжанов, Д. А. Ташмухамедова, А. А. Абдувайитов, Э. А. Раббимов, “Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 3–5 ; B. E. Umirzakov, J. Sh. Sodikjanov, D. A. Tashmukhamedova, A. A. Abduvaitov, E. M. Rabbimov, “Adsorption of Ba atoms influences the composition, emission, and optical properties of CdS single crystals”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 620–623 |
1
|
| 5. |
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, Г. Х. Аллаёрова, Р. М. Ёркулов, “Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 15–19 ; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, G. Kh. Allayarova, R. M. Yorkulov, “The effect of stepwise postimplantation annealing on the composition and structure of silicon surface layers implanted with alkali metal ions”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 11–15 |
|
2020 |
| 6. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, С. Т. Гулямова, Г. Х. Аллаярова, “Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)”, ЖТФ, 90:5 (2020), 831–834 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, S. T. Gulyamova, G. Kh. Allayarova, “Effect of the Ba$^+$ ion implantation on the composition and electronic properties of MoO$_{3}$/Mo (111) films”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 795–798 |
5
|
| 7. |
З. А. Исаханов, И. О. Косимов, Б. Е. Умирзаков, Р. М. Ёркулов, “Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов”, ЖТФ, 90:1 (2020), 123–127 ; Z. A. Isakhanov, I. O. Kosimov, B. E. Umirzakov, R. M. Yorkulov, “Modification of the surface properties of free Si–Cu films by implantation of active metal ions”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 114–117 |
4
|
| 8. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева, Д. М. Муродкабилов, “Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1211–1216 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, A. K. Tashatov, N. M. Mustafoeva, D. M. Muradkabilov, “Effect of the disordering of thin surface layers on the electronic and optical properties of Si(111)”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1424–1429 |
2
|
| 9. |
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, “Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 716–719 ; S. B. Donaev, B. E. Umirzakov, “Effect of the implantation of Al$^+$ ions on the composition, electronic and crystalline structure of the GaP(111) surface”, Semiconductors, 54:8 (2020), 860–862 |
1
|
| 10. |
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34 ; D. A. Tashmukhamedova, M. B. Yusupjanova, G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, “Crystal structure and band gap of nanoscale phases of Si formed at various depths of the near-surface region of SiO$_{2}$”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975 |
3
|
|
2019 |
| 11. |
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Н. М. Мустафаева, “Эмиссионные свойства сплава Pb–Ba, активированного лазерным облучением”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1626–1629 ; S. B. Donaev, B. E. Umirzakov, N. M. Mustafaeva, “Emissivity of laser-activated Pd–Ba alloy”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1541–1543 |
6
|
| 12. |
С. Ж. Ниматов, Б. Е. Умирзаков, Ф. Я. Худайкулов, Д. С. Руми, “Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1611–1614 ; S. Zh. Nimatov, B. E. Umirzakov, F. Ya. Khudaikulov, D. S. Rumi, “Variation of the crystal structure on Si(111) surface induced by ion bombardment and subsequent annealing”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1527–1529 |
8
|
| 13. |
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева, “Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1589–1591 ; B. E. Umirzakov, S. B. Donaev, N. M. Mustafaeva, “Electronic and optical properties of GaAlAs/GaAs thin films”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1506–1508 |
6
|
| 14. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1115–1117 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. A. Tursunov, Y. S. Ergashov, G. Kh. Allayarova, “Escape depth of secondary and photoelectrons from CdTe films with a Ba film”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1051–1054 |
9
|
| 15. |
Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, З. А. Исаханов, Р. М. Ёркулов, “Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$”, ЖТФ, 89:6 (2019), 935–937 ; B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, Z. A. Isakhanov, R. M. Yorkulov, “Formation of nanodimensional SiO$_{2}$ films on the surface of a free si/cu film system by O$_{2}^{+}$ ion implantation”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 881–883 |
1
|
| 16. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева, “Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si”, ЖТФ, 89:5 (2019), 759–761 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, A. K. Tashatov, N. M. Mustafoeva, “Electronic and optical properties of NiSi$_{2}$/Si nanofilms”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 708–710 |
2
|
| 17. |
Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев, “Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$”, ЖТФ, 89:2 (2019), 264–267 ; B. E. Umirzakov, R. Kh. Ashurov, S. B. Donaev, “The morphology and electronic properties of si nanoscale structures on a CaF$_{2}$ surface”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 232–235 |
4
|
| 18. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Г. Х. Аллаярова, Ж. Ш. Содикжанов, “Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 49–51 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, G. Kh. Allayarova, J. Sh. Sodikjanov, “The effect of the formation of silicides on the resistivity of silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 356–358 |
5
|
|
2018 |
| 19. |
Ё. С. Эргашов, Б. Е. Умирзаков, “Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1859–1862 ; Y. S. Ergashov, B. E. Umirzakov, “Structure and properties of a bilayer nanodimensional CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si system obtained by ion implantation”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1820–1823 |
11
|
|
2017 |
| 20. |
Х. Х. Болтаев, Ж. Ш. Содикжанов, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1884–1886 ; Kh. Kh. Boltaev, J. Sh. Sodikjanov, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition and structure of Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As nanolayers produced near the GaAs surface by Na$^+$ implantation”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1882–1884 |
4
|
|
2016 |
| 21. |
Ё. С. Эргашов, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, “Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu”, ЖТФ, 86:6 (2016), 156–158 ; Y. S. Ergashov, Z. A. Isakhanov, B. E. Umirzakov, “Transmission of electromagnetic waves through thin Cu films”, Tech. Phys., 61:6 (2016), 953–955 |
7
|
| 22. |
М. Б. Юсупжанова, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$”, ЖТФ, 86:4 (2016), 148–150 ; M. B. Yusupjanova, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO$_{2}$ Surface by Ar$^{+}$ ion bombardment”, Tech. Phys., 61:4 (2016), 628–630 |
6
|
|
Обратная связь: