|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физическое материаловедение
Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла
Г. Абдурахмановab, В. И. Шиманскийc, Б. Л. Оксенгендлерb, Б. Е. Умирзаковa, А. Н. Уроковa a Ташкентский государственный технический университет
b Национальный университет Узбекистана, г. Ташкент
c Белорусский государственный университет, г. Минск
Аннотация:
Представление о псевдощели и нанокристаллах использовано для объяснения механизма электропроводности силикатного стекла, легированного оксидами переходных металлов (толстопленочные резисторы). Псевдощель возникает между потолком валентной зоны стекла и примесной зоной, созданной диффузией атомов лигатуры в стекло при спекании. Нанокристаллы образуются в стекле в процессе его варки, претерпевают структурные превращения при высоких температурах и действуют как центры локализации носителей заряда. Достигнуто качественное соответствие модели с экспериментальной температурной зависимостью проводимости легированного стекла в интервале от гелиевых температур до 1100 K.
Ключевые слова:
силикатное стекло, толстопленочные резисторы, легирование, туннелирование, нанокристаллы, псевдощель.
Поступила в редакцию: 12.05.2020 Исправленный вариант: 08.08.2020 Принята в печать: 01.09.2020
Образец цитирования:
Г. Абдурахманов, В. И. Шиманский, Б. Л. Оксенгендлер, Б. Е. Умирзаков, А. Н. Уроков, “Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла”, ЖТФ, 91:2 (2021), 281–286; Tech. Phys., 66:2 (2021), 269–274
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5081 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i2/p281
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 19 |
|