Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 19, страницы 32–34
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.19.50042.18368
(Mi pjtf4978)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$

Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация: Методом бомбардировки ионами Ar$^{+}$ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов $E_{0}$ от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от $\sim$10 до 25 nm ширина запрещенной зоны $E_{g}$ уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si $E_{g}$ составляет $\sim$1.1–1.2 eV.
Ключевые слова: гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.
Поступила в редакцию: 06.05.2020
Исправленный вариант: 03.07.2020
Принята в печать: 03.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 10, Pages 972–975
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020100144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TasYusAll20}
\by Д.~А.~Ташмухамедова, М.~Б.~Юсупжанова, Г.~Х.~Аллаярова, Б.~Е.~Умирзаков
\paper Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 19
\pages 32--34
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4978}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.19.50042.18368}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44257986}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 10
\pages 972--975
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020100144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4978
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i19/p32
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:46
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024