|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация:
Методом бомбардировки ионами Ar$^{+}$ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов $E_{0}$ от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от $\sim$10 до 25 nm ширина запрещенной зоны $E_{g}$ уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si $E_{g}$ составляет $\sim$1.1–1.2 eV.
Ключевые слова:
гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.
Поступила в редакцию: 06.05.2020 Исправленный вариант: 03.07.2020 Принята в печать: 03.07.2020
Образец цитирования:
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4978 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i19/p32
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 46 |
|