Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 1, страницы 123–127
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.01.48672.202-19 (Mi jtf5417) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика низкоразмерных структур

Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов

З. А. Исахановa, И. О. Косимовb, Б. Е. Умирзаковb, Р. М. Ёркуловa

a Институт ионно-плазменных и лазерных технологий, Ташкент, Узбекистан
b Ташкентский государственный технический университет
PDF полного текста (268 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.01.48672.202-19
Аннотация: Методами оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронами и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии изучено влияние имплантации ионов Ва$^{+}$ на состав, кристаллическую и электронную структуры поверхности свободных пленок Si–Cu(100). В частности, показано, что имплантация ионов Ва и последующий отжиг позволяют получить нанопленки типа ВаSi с некоторым (до 10 at.%) избытком несвязанных атомов Si.
Ключевые слова: оже-электронная спектроскопия, имплантации ионов Ва$^{+}$, нанопленки.
Поступила в редакцию: 20.05.2019
Исправленный вариант: 20.05.2019
Принята в печать: 03.07.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 1, Pages 114–117
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220010090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. А. Исаханов, И. О. Косимов, Б. Е. Умирзаков, Р. М. Ёркулов, “Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов”, ЖТФ, 90:1 (2020), 123–127; Tech. Phys., 65:1 (2020), 114–117
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IsaKosUmi20}
\by З.~А.~Исаханов, И.~О.~Косимов, Б.~Е.~Умирзаков, Р.~М.~Ёркулов
\paper Модификация свойств поверхности свободных пленок Si--Cu имплантацией ионов активных металлов
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 1
\pages 123--127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5417}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.01.48672.202-19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42744561}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 1
\pages 114--117
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220010090}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5417
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i1/p123
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024