|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физическая электроника
Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева Ташкентский государственный технический университет
Аннотация:
Определены оптимальные условия ионной имплантации и последующего отжига для получения наноразмерных пленок NiSi$_{2}$/Si (111) с толщиной 3.0 – 6.0nm. Показано, что зонно-энергетические параметры и оптические свойства, характерные для толстых пленок NiSi$_{2}$, начинают устанавливаться с $d$ = 5.0 – 6.0 nm.
Поступила в редакцию: 16.05.2018 Исправленный вариант: 02.10.2018 Принята в печать: 14.11.2018
Образец цитирования:
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева, “Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si”, ЖТФ, 89:5 (2019), 759–761; Tech. Phys., 64:5 (2019), 708–710
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5624 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i5/p759
|
|