|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Твердотельная электроника
Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией
Ё. С. Эргашов, Б. Е. Умирзаков Ташкентский государственный технический университет
Аннотация:
С использованием метода ионной имплантации получена двуслойная система типа CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si и определены оптимальные режимы имплантации и отжига для ее формирования. Показано, что такая система формируется, когда разности между высокой и низкой энергией ионов составляет не менее 15–20 keV. Сформированные структуры имели гладкую поверхность с высокой кристалличностью.
Поступила в редакцию: 13.01.2018
Образец цитирования:
Ё. С. Эргашов, Б. Е. Умирзаков, “Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1859–1862; Tech. Phys., 63:12 (2018), 1820–1823
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5748 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i12/p1859
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 11 |
|