|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Физическая электроника
Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова Ташкентский государственный технический университет
Аннотация:
Впервые оценены зоны выхода $\lambda'$ истинно-вторичных электронов и фотоэлектронов чистого CdTe и CdTe с пленкой Ba толщиной $\theta\le$ 1 монослоя. Показано, что с уменьшением работы выхода поверхности на 2 eV значение $\lambda'$ увеличивается в 1.2–1.3 раза.
Поступила в редакцию: 10.01.2019 Исправленный вариант: 10.01.2019 Принята в печать: 20.02.2019
Образец цитирования:
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1115–1117; Tech. Phys., 64:7 (2019), 1051–1054
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5577 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i7/p1115
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 19 |
|