Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)

Представленные данные показывают, что при имплантации MoO$_{3}$ ионами Ba$^{+}$ в ионно-легированном слое формируется пленка, состоящая из соединений типа Mo–O, Mo–Ba–O и Ba–O. Это приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов, уменьшению работы выхода $e\varphi$ до 2.7 eV, уменьшению ширины запрещенной зоны $E_{g}$ в $\sim$1.5 раза и увеличению максимального значения коэффициента вторичной электронной эмиссии $\sigma_{m}$ в 1.5 раза. Установлено, что эмиссионная эффективность вторичных электронов приповерхностного слоя чистого Mo заметно больше, чем эмиссионная эффективность ионно-имплантированных слоев Mo. Поэтому увеличение $\sigma_{m}$ после ионной имплантации в основном объясняется уменьшением $e\varphi$ поверхности. При прогреве ионно-имплантированного MoO$_{3}$ до 900 K значение $e\varphi$ уменьшается до 2 eV, а значение $\sigma_{m}$ увеличивается до $T$ = 1000 K.