|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Твердотельная электроника
Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$
Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация:
Получены нанопленки и регулярно расположенные наноразмерные фазы Si с толщиной 1–2 nm и изучены их морфологии поверхности, кристаллические структуры и зонно-энергетические параметры. Показано, что ширина запрещенной зоны нанокристаллических фаз Si, полученных при толщине $\theta$ = 2 – 3 монослоев, составляет $\sim$1.4 eV.
Поступила в редакцию: 13.05.2018
Образец цитирования:
Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев, “Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$”, ЖТФ, 89:2 (2019), 264–267; Tech. Phys., 64:2 (2019), 232–235
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5700 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i2/p264
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 30 |
|