Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 2, страницы 264–267
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47081.185-18 (Mi jtf5700) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$

Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
PDF полного текста (452 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47081.185-18
Аннотация: Получены нанопленки и регулярно расположенные наноразмерные фазы Si с толщиной 1–2 nm и изучены их морфологии поверхности, кристаллические структуры и зонно-энергетические параметры. Показано, что ширина запрещенной зоны нанокристаллических фаз Si, полученных при толщине $\theta$ = 2 – 3 монослоев, составляет $\sim$1.4 eV.
Поступила в редакцию: 13.05.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 2, Pages 232–235
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219020269
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев, “Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$”, ЖТФ, 89:2 (2019), 264–267; Tech. Phys., 64:2 (2019), 232–235
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UmiAshDon19}
\by Б.~Е.~Умирзаков, Р.~Х.~Ашуров, С.~Б.~Донаев
\paper Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 2
\pages 264--267
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5700}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47081.185-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37479417}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 2
\pages 232--235
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219020269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5700
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i2/p264
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024