Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$

В работе с использованием методов оже-электронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов изучены состав и структура наноразмерных фаз Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных имплантацией ионов натрия в приповерхностную область GaAs. Установлено, что при $E_{0}$ = 20 keV толщина эпитаксиального слоя трехкомпонентного соединения составляет 10–12 nm. При этом формируются трехслойные наносистемы GaAs–Ga$_{0.5}$Na$_{0.5}$As–GaAs.