Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев $d$ и их влияние на ширину запрещенной зоны $E_{g}$ монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar$^{+}$. Показано, что значение $d$ при энергиях ионов $E_{0}$ = 1 и 2 кэВ составляет $\sim$(100–120) и $\sim$(150–160) $\mathring{\mathrm{A}}$ соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до $K$ = 55–60%, а значение $E_{g}$ увеличивается на $\sim$10%. При бомбардировке ионами Ni$^{+}$ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого $K$ уменьшается до 5–10%. После прогрева при $T$ = 900 K формируются нанокристаллы (при дозах $D\le$ 10$^{15}$ см$^{-2}$) и нанопленки NiSi$_{2}$ ($D$ = 6 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$).