|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Твердотельная электроника
Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация:
Показано, что формирование на поверхности GaAs нанопленок GaAlAs приводит к увеличению значения коэффициента эмиссии истинно-вторичных электронов и квантового выхода фотоэлектронов, что объясняется отличием глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов для GaAs и для GaAlAs.
Ключевые слова:
эмиссионные свойства, оптические свойства, нанопленка, ионная имплантация, пленки GaAs, нанокристаллические фазы.
Поступила в редакцию: 09.09.2017 Исправленный вариант: 16.03.2018 Принята в печать: 01.03.2019
Образец цитирования:
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева, “Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1589–1591; Tech. Phys., 64:10 (2019), 1506–1508
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5498 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i10/p1589
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 28 |
|