|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков Ташкентский государственный технический университет
Аннотация:
Методом имплантации ионов Al$^{+}$ c $E_{0}$= 1 кэВ разными дозами на поверхности монокристалла GaP(111) получены нанокристаллические фазы и пленки GaAlP, изучены их электронная и кристаллическая структура. Показано, что тип и параметры решетки трехкомпонентной наноструктуры хорошо совпадают с таковыми для подложки. Изучена взаимосвязь между шириной запрещенной зоны $E_{g}$ и размерами нанокристаллических фаз. Установлено, что в случае поверхностных размеров фаз $d$ меньше чем 35–40 нм (толщина 3.5–4 нм), в нанокристаллических фазах Ga$_{0.6}$Al$_{0.4}$P проявляются квантово-размерные эффекты.
Ключевые слова:
поверхность, монокристалл, ионная имплантация, нанокристаллическая фаза, ширина запрещенной зоны, квантово-размерный эффект.
Поступила в редакцию: 23.03.2020 Исправленный вариант: 31.03.2020 Принята в печать: 31.03.2020
Образец цитирования:
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, “Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 716–719; Semiconductors, 54:8 (2020), 860–862
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5186 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p716
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 9 |
|