|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Электрофизика
Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига
С. Ж. Ниматов, Б. Е. Умирзаков, Ф. Я. Худайкулов, Д. С. Руми Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация:
Представлены результаты исследования модификации поверхности Si(111) при бомбардировке ионами щелочных элементов в сочетании с отжигом и показано, что при энергии ионов в интервале 0.3–1 keV после прогрева на поверхности Si формируется монослойное покрытие силицида металла. Установлено, что работа выхода $\varphi$ поверхности образца Si(111) сложным образом зависит от дозы при различных энергиях облучения и типах ионов.
Ключевые слова:
ионная бомбардировка, отжиг, монослойная пленка, структура, работа выхода.
Поступила в редакцию: 29.11.2018 Исправленный вариант: 29.11.2018 Принята в печать: 10.04.2019
Образец цитирования:
С. Ж. Ниматов, Б. Е. Умирзаков, Ф. Я. Худайкулов, Д. С. Руми, “Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1611–1614; Tech. Phys., 64:10 (2019), 1527–1529
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5502 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i10/p1611
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 15 |
|