Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 10, страницы 1611–1614
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.10.48181.414-18
(Mi jtf5502)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электрофизика

Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига

С. Ж. Ниматов, Б. Е. Умирзаков, Ф. Я. Худайкулов, Д. С. Руми

Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
Аннотация: Представлены результаты исследования модификации поверхности Si(111) при бомбардировке ионами щелочных элементов в сочетании с отжигом и показано, что при энергии ионов в интервале 0.3–1 keV после прогрева на поверхности Si формируется монослойное покрытие силицида металла. Установлено, что работа выхода $\varphi$ поверхности образца Si(111) сложным образом зависит от дозы при различных энергиях облучения и типах ионов.
Ключевые слова: ионная бомбардировка, отжиг, монослойная пленка, структура, работа выхода.
Финансовая поддержка Номер гранта
Узбекско-Российский фонд фундаментальных исследований Ф2-53
Работа выполнена при поддержке фонда фундаментальных исследований Республики Узбекистан (проект Ф2-53).
Поступила в редакцию: 29.11.2018
Исправленный вариант: 29.11.2018
Принята в печать: 10.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 10, Pages 1527–1529
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219100153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ж. Ниматов, Б. Е. Умирзаков, Ф. Я. Худайкулов, Д. С. Руми, “Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1611–1614; Tech. Phys., 64:10 (2019), 1527–1529
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NimUmiKhu19}
\by С.~Ж.~Ниматов, Б.~Е.~Умирзаков, Ф.~Я.~Худайкулов, Д.~С.~Руми
\paper Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 10
\pages 1611--1614
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5502}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.10.48181.414-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174998}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 10
\pages 1527--1529
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219100153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5502
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i10/p1611
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024