Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Dvurechenskii, Anatolii Vasil'evich
Corresponding member of RAS
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person56416
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, V. I. Muratov, A. V. Dvurechenskii, “Growth of silicene by molecular beam epitaxy on CaF$_2$/Si(111) substrates modified by electron irradiation”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 119:9 (2024),  692–696  mathnet; JETP Letters, 119:9 (2024), 703–707
2023
2. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Manifestation of “slow” light in the photocurrent spectra of Ge/Si quantum dot layers combined with a photonic crystal”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 118:4 (2023),  240–244  mathnet; JETP Letters, 118:4 (2023), 244–248
2022
3. V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:9 (2022),  608–613  mathnet; JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 1
2021
4. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 113:8 (2021),  501–506  mathnet  elib; JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503  isi  scopus 4
5. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Electron spin resonance in heterostructures with ring molecules of GeSi quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 113:1 (2021),  58–62  mathnet  elib; JETP Letters, 113:1 (2021), 52–56  isi  scopus 1
6. Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Dependence of luminescence properties of the ordered groups of epitaxially grown Ge(Si) nanoislands on the parameters of pit-patterned SOI substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1210–1215  mathnet  elib 2
7. V. A. Zinov'ev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinov'eva, S. G. Cherkova, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Yu. Krupin, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, “Atomic structure and optical properties of CaSi$_2$ layers grown on CaF$_2$/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  725–728  mathnet  elib; Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811 5
8. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Effect of adhesive layers on photocurrent enhancement in near-infrared quantum-dot photodetectors coupled with metal-nanodisk arrays”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:7 (2021),  596–601  mathnet  elib; Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659
2020
9. Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  708–715  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 7
2019
10. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Plasmonic field enhancement by metallic subwave lattices on silicon in the near-infrared range”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 110:6 (2019),  393–399  mathnet  elib; JETP Letters, 110:6 (2019), 411–416  isi  scopus 4
11. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 109:4 (2019),  258–264  mathnet  elib; JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275  isi  scopus
12. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1366–1371  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 7
13. A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, “Plasmon enhancement of the electric field in mid-infrared Ge/Si quantum-dot photodetectors with different thicknesses of the active region”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  206–210  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 195–199 1
2018
14. A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Analytical expression for the distribution of elastic strain created by a polyhedral inclusion with arbitrary eigenstrain”, Fizika Tverdogo Tela, 60:9 (2018),  1761–1766  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1807–1812 1
15. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, “Localization of surface plasmon waves in hybrid photodetectors with subwavelength metallic arrays”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 108:6 (2018),  399–403  mathnet  elib; JETP Letters, 108:6 (2018), 374–378  isi  scopus
16. S. A. Rudin, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii, “Nucleation of three-dimensional Ge islands on a patterned Si(100) surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1346–1350  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461 5
17. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1028–1033  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 7
2017
18. N. P. Stepina, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 106:5 (2017),  288–292  mathnet  elib; JETP Letters, 106:5 (2017), 308–312  isi  scopus 2
19. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 105:7 (2017),  419–423  mathnet  elib; JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429  isi  scopus 1
2016
20. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 104:12 (2016),  845–848  mathnet  elib; JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826  isi  scopus 14
21. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 104:7 (2016),  507–511  mathnet  elib; JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482  isi  scopus 1
2015
22. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 102:9 (2015),  678–682  mathnet  elib; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598  isi  scopus 7
23. N. P. Stepina, I. A. Verkhushin, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Temperature-stimulated transition from a macroscopic to a mesoscopic behavior of the hopping conductivity in a quantum-dot ensemble”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 102:5 (2015),  344–347  mathnet  elib; JETP Letters, 102:5 (2015), 312–315  isi  elib  scopus
24. A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 102:2 (2015),  120–124  mathnet  elib; JETP Letters, 102:2 (2015), 108–112  isi  elib  scopus 8
25. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 101:11 (2015),  846–850  mathnet  elib; JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753  isi  elib  scopus 9
26. N. P. Stepina, V. V. Valkovskii, Yu. M. Гальперин, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, “Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 101:1 (2015),  24–28  mathnet  elib; JETP Letters, 101:1 (2015), 22–26  isi  elib  scopus 4
2014
27. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 100:2 (2014),  99–103  mathnet  elib; JETP Letters, 100:2 (2014), 91–94  isi  elib  scopus 3
28. A. L. Vartanian, V. N. Mughnetsyan, K. A. Vardanyan, A. V. Dvurechenskii, A. A. Kirakosyan, “Influence of optical phonon confinement on two-phonon capture processes in quantum dots”, Proceedings of the YSU, Physical and Mathematical Sciences, 2014, no. 2,  50–53  mathnet
2011
29. A. Yu. Gornov, A. V. Dvurechenskii, T. S. Zarodnyuk, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, “Problem of optimal control in the system of semiconductor quantum points”, Avtomat. i Telemekh., 2011, no. 6,  108–114  mathnet  mathscinet  zmath; Autom. Remote Control, 72:6 (2011), 1242–1247  isi  scopus 4
30. A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 94:10 (2011),  806–810  mathnet  elib; JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747  isi  elib  scopus 9
31. A. Yu. Gornov, A. V. Dvurechenskii, T. S. Zarodnyuk, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, “The numerical technique of optimization of two-dimensional controlled voltage impulse in the quantum dots system”, Program Systems: Theory and Applications, 2:1 (2011),  27–38  mathnet
2010
32. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 92:1 (2010),  43–46  mathnet; JETP Letters, 92:1 (2010), 36–39  isi  scopus 2
2009
33. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Excitons in Ge/Si double quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 90:8 (2009),  621–625  mathnet; JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573  isi  scopus 16
2007
34. A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Bonding state of a hole in Ge/Si double quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 86:7 (2007),  549–552  mathnet; JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481  isi  scopus 6
35. A. I. Yakimov, G. Yu. Mikhalev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole states in artificial molecules formed by vertically coupled Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 85:9 (2007),  527–532  mathnet; JETP Letters, 85:9 (2007), 429–433  isi  scopus 7
2006
36. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, “Binding of electron states in multilayer strained Ge/Si heterostructures with type-II quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 83:4 (2006),  189–194  mathnet; JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161  isi  scopus 12
2005
37. A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole spin relaxation in Ge quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 82:5 (2005),  336–340  mathnet; JETP Letters, 82:5 (2005), 302–305  isi  scopus 9
2004
38. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, G. Yu. Mikhalev, “The Meyer – Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 80:5 (2004),  367–371  mathnet; JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325  scopus 9
39. A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 79:7 (2004),  411–415  mathnet; JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336  scopus 5
2003
40. N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 78:9 (2003),  1077–1081  mathnet; JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591  scopus 2
41. A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, M. N. Timonova, “Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 78:4 (2003),  276–280  mathnet; JETP Letters, 78:4 (2003), 241–245  scopus 3
42. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 77:7 (2003),  445–449  mathnet; JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380  scopus 30
2002
43. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 75:2 (2002),  113–117  mathnet; JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106  scopus 4
2001
44. A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinov'ev, Zh. V. Smagina, “Self-organization of an ensemble of Ge nanoclusters upon pulsed irradiation with low-energy ions during heteroepitaxy on Si”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 74:5 (2001),  296–299  mathnet; JETP Letters, 74:5 (2001), 267–269  scopus 15
45. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Spatial separation of electrons in Ge/Si(001) heterostructures with quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 73:10 (2001),  598–600  mathnet; JETP Letters, 73:10 (2001), 529–531  scopus 23
46. A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, “Quantum dot Ge/Si heterostructures”, UFN, 171:12 (2001),  1371–1373  mathnet; Phys. Usp., 44:12 (2001), 1304–1307  isi 8
1991
47. A. V. Dvurechenskii, A. M. Konchakov, O. L. Kolesnikova, “ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  923–927  mathnet
48. Y. A. Manzhosov, A. V. Dvurechenskii, G. D. Ivlev, “DYNAMICS OF RECRYSTALLIZATION OF SILICON FILM ON DIELECTRIC LAYER UNDER NANOSECOND LASER EFFECT”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:10 (1991),  58–63  mathnet
1990
49. A. M. Konchakov, A. V. Dvurechenskii, I. E. Tyschenko, G. A. Kachurin, “Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1101–1103  mathnet
50. S. N. Kolyadenko, A. V. Dvurechenskii, V. Yu. Balandin, S. P. Verkhodanov, L. V. Mishina, O. A. Kulyasova, “CHARACTERISTICS OF MONOCRYSTAL SUBSTRATE FUSION IN INOCULATION WINDOWS DURING SILICON LAYER FORMATIONS ON THE INSULATOR BY PULSE HEATING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:22 (1990),  11–17  mathnet
1988
51. A. V. Dvurechenskii, V. A. Dravin, A. I. Yakimov, “Hopping conduction in intermediately doped semiconductors”, Fizika Tverdogo Tela, 30:2 (1988),  401–406  mathnet
52. A. V. Dvurechenskii, A. M. Konchakov, “Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1057–1061  mathnet
53. A. Kh. Antonenko, V. V. Bolotov, A. V. Dvurechenskii, V. A. Stuchinskii, V. A. Kharchenko, A. A. Stuk, “Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  887–892  mathnet
1987
54. O. A. Kulyasova, V. Yu. Balandin, A. V. Dvurechenskii, L. N. Aleksandrov, “DETERMINATION OF FUSION TEMPERATURE OF AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS ON KINETICS OF SELF-SUPPORTING CRYSTALLIZATION”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 57:12 (1987),  2397–2400  mathnet
55. A. V. Dvurechenskii, N. M. Igonina, R. Grttsshel, “Distribution of Ion-Implanted Impurity in Silicon after Multiple Pulsed Electronic Annealling”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  357–360  mathnet
56. A. V. Dvurechenskii, A. M. Konchakov, A. P. Napartovich, “Vacancy–Impurity Defect with Spatially Selected Components in Silicon Irradiated by Electrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  50–56  mathnet
1986
57. R. Grettsshel', A. V. Dvurechenskii, V. P. Popov, “Crystalline-amorphous phase transition in heavily doped silicon”, Fizika Tverdogo Tela, 28:10 (1986),  3134–3136  mathnet
58. V. Yu. Balandin, A. V. Dvurechenskii, L. N. Aleksandrov, “LIQUID-PHASE CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON LAYERS DURING PULSED HEATING OF THE DIFFERENT WIDTH”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:4 (1986),  807–810  mathnet
1985
59. A. V. Dvurechenskii, A. M. Konchakov, “Nonreoriented Divacancies in Silicon Irradiated by Neutrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1944–1948  mathnet
60. A. N. Aleshin, A. V. Dvurechenskii, A. N. Ionov, I. A. Ryazantsev, I. S. Shlimak, “Low-Temperature Conduction of Heavily Doped Amorphous Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1240–1244  mathnet
1984
61. A. V. Dvurechenskii, A. P. Napartovich, V. V. Suprunchik, “ЭПР дефектов в Si$\langle$Al$\rangle$, облученном большими дозами электронов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1763–1766  mathnet
1983
62. A. V. Dvurechenskii, A. P. Napartovich, V. I. Panov, “Перестройка дефектов при больших дозах облучения Si электронами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983),  546–548  mathnet
1979
63. A. V. Dvurechenskii, K. S. Mukhamedyarov, V. A. Petrov, V. Yu. Reznik, “Спектральная излучательная способность пирографита в инфракрасной области при высоких температурах”, TVT, 17:5 (1979),  988–991  mathnet
64. A. V. Dvurechenskii, A. V. Petrov, V. Yu. Reznik, “Спектральный коэффициент поглощения кварцевых стекол в области их полупрозрачности при высоких температурах”, TVT, 17:1 (1979),  58–62  mathnet
1978
65. A. V. Dvurechenskii, V. A. Petrov, V. Yu. Reznik, “Экспериментальное исследование спектральной излучательной способности кварцевого стекла при высоких температурах”, TVT, 16:4 (1978),  749–754  mathnet
66. A. V. Dvurechenskii, V. A. Petrov, V. Yu. Reznik, “Температурная зависимость спектральной излучательной способности кварцевых стекол марки КИ и КСГ в ИК-области (№ 706–78 Деп. от 6 III 1978)”, TVT, 16:3 (1978),  665  mathnet
2021
67. A. M. Sergeev, Yu. Yu. Balega, I. A. Shcherbakov, E. B. Aleksandrov, V. M. Andreev, A. L. Aseev, A. M. Bykov, I. V. Grekhov, V. V. Gusarov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Ivanchik, E. L. Ivchenko, N. N. Kazansky, A. A. Kaplyanskii, V. V. Kveder, N. N. Kolachevsky, S. G. Konnikov, P. S. Kop'ev, Z. F. Krasil'nik, A. G. Litvak, S. V. Medvedev, Yu. V. Natochin, V. N. Parmon, E. E. Son, R. A. Suris, V. B. Timofeev, V. V. Ustinov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, A. N. Aleshin, M. V. Arkhipov, P. N. Brunkov, A. I. Veinger, A. K. Vershovskii, E. A. Volkova, S. A. Gurevich, V. K. Gusev, V. A. Dergachev, A. G. Deryagin, O. V. Dudnik, V. V. Zhdanov, N. L. Istomina, A. M. Kalashnikova, E. S. Kornilova, E. V. Kustova, A.A. Lebedev, E.V. Lipatova, A. V. Nashchekin, R. V. Parfen'ev, M. P. Petrov, G. V. Skornyakov, E. M. Smirnov, G. S. Sokolovskii, A. V. Solomonov, M. G. Sushkova, E. I. Terukov, E. A. Chaban, O. L. Chagunava, A. P. Shergin, E. V. Shestopalova, M. L. Shmatov, A. A. Shmidt, V. L. Shubin, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024