|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517   ; S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, B. Ya. Ber, A. A. Anisimov, I. D. Breev, “Origin of green coloration in AlN crystals grown on SiC seeds”, Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550 |
|
2020 |
| 2. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 |
4
|
| 3. |
Г. С. Гагис, В. И. Васильев, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 22–24 ; G. S. Gagis, V. I. Vasil'ev, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, V. I. Kuchinskii, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 961–963 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 5. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 10–13 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon XUV avalanche photodiode in the 320–1100 nm wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1226–1229 |
2
|
| 6. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
| 7. |
П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, А. Н. Горохов, В. В. Забродский, Д. Ю. Казанцев, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнёв, “Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 40–42 ; P. N. Aruev, B. Ya. Ber, A. N. Gorokhov, V. V. Zabrodskii, D. Yu. Kazantsev, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Characteristics of a silicon avalanche photodiode for the near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 780–782 |
2
|
| 8. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
5
|
|
2018 |
| 9. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 |
3
|
| 10. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
| 11. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 48–56 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
3
|
| 12. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
| 13. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
3
|
|
2017 |
| 14. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
3
|
| 15. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
| 16. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов, “Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, A. B. Smirnov, “Formation of a $p$-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters”, Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671 |
1
|
| 17. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, В. И. Кучинский, А. Г. Дерягин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 78–86 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, V. I. Kuchinskii, A. G. Deryagin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “A study of transition regions in InAsPSb/InAs heterostructures grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 905–908 |
3
|
|
2016 |
| 18. |
А. В. Воронин, А. Е. Александров, Б. Я. Бер, П. Н. Брунков, А. А. Борматов, В. К. Гусев, Е. В. Демина, А. Н. Новохацкий, С. И. Павлов, М. Д. Прусакова, Г. Ю. Сотникова, М. А. Яговкина, “Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам”, ЖТФ, 86:3 (2016), 51–57 ; A. V. Voronin, A. E. Aleksandrov, B. Ya. Ber, P. N. Brunkov, A. A. Bormatov, V. K. Gusev, E. V. Demina, A. N. Novokhatskii, S. I. Pavlov, M. D. Prusakova, G. Yu. Sotnikova, M. A. Yagovkina, “Experimental study of cyclic action of plasma on tungsten”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 370–376 |
6
|
| 19. |
Е. В. Астрова, А. М. Румянцев, Г. В. Ли, А. В. Нащекин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, В. В. Жданов, “Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 979–986 ; E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, G. V. Li, A. V. Nashchekin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, V. V. Zhdanov, “Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation”, Semiconductors, 50:7 (2016), 963–969 |
6
|
| 20. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
| 21. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 |
5
|
|
2012 |
| 22. |
П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948   ] |
26
|
|
1992 |
| 23. |
Б. Я. Бер, В. П. Евтихиев, А. Б. Комиссаров, А. О. Косогов, Д. А. Зушинский, “Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As
на разориентированных подложках GaAs (100)”, Письма в ЖТФ, 18:11 (1992), 72–76 |
|
1991 |
| 24. |
Б. Я. Бер, И. Р. Дайнова, В. А. Коробов, М. М. Кулагина, Г. В. Прищепа, В. З. Пятаев, А. Ю. Островский, М. И. Этинберг, “Лазерное формирование омических контактов к арсениду галлия $n$-типа”, Письма в ЖТФ, 17:20 (1991), 74–79 |
|
1986 |
| 25. |
Б. Я. Бер, Л. А. Кадинский, М. А. Синицын, В. С. Юферев, Б. С. Явич, “Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания
Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом”, ЖТФ, 56:2 (1986), 361–366 |
| 26. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 335–341 |
|
1985 |
| 27. |
Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147 |
| 28. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с активными областями
${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$ см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1108–1114 |
| 29. |
Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах
с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 715–721 |
| 30. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, К. Ю. Кижаев, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, “Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 961–968 |
|
1984 |
| 31. |
П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274 |
|
1983 |
| 32. |
Б. Я. Бер, А. Э. Гольберг, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 751–754 |
|
Обратная связь: