Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

При исследовании легированных анизотипных гетероструктур со слоями Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$, выращенных на подоложках InP с буферным слоем InP методом МОС-гидридной эпитаксии, в слое Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$ со стороны подложки для отдельных образцов выявлено наличие переходных областей, на протяжении которых содержание мышьяка $(y)$ увеличивалось от границы со слоем InP к поверхности структуры на величину $\Delta y$ до 0.15, а содержание элементов третьей группы $(x)$ оставалось постоянным.