Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

При исследовании полученных методом газофазной эпитаксии гетероструктур InAs$_{x}$P$_{y}$Sb$_{1-x-y}$/InAs ($x>$ 0.55) для рассогласованных с подложкой образцов методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявлено заметное и протяженное ($\sim$800 nm) изменение содержания As и P ($y$ до 0.12) по толщине слоя, носящее экспоненциальный характер. Рассчитанное по измеренному распределению компонентов As и P несоответствие параметров решеток было максимальным на границе эпитаксиального слоя с подложкой и уменьшалось по мере удаления от гетероинтерфейса в глубь эпитаксиального слоя.