Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

Исследованы люминесцентные свойства при 77 и 300 K эпитаксиальных слоев Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$, имеющих градиент содержания элементов пятой группы $\Delta y$ до 0.08 по всей толщине (около 1 $\mu$m). У слоев Ga$_{1-x}$In$_{x}$As$_{y}$P$_{1-y}$ с высокими $\Delta y$ спектры фотолюминесценции были уширены. У слоев GaInAsP низкого кристаллического совершенства фотолюминесценция либо отсутствовала, либо проявляла себя так, как это характерно для переходов с участием примесных уровней.