Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

Исследованы гетероструктуры GaInPAs/InP, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре 600$^\circ$C и давлении 0.1 бар. Толщины выращенных слоев GaInAsP составляли $\sim$1 мкм. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии для твердых растворов Ga$_{1-x}$In$_{x}$P$_{1-y}$As$_{y}$ со средними составами $x$ = 0.77–0.87, $y$ = 0.07–0.42 выявлено изменение содержания атомов V группы y по толщине эпитаксиального слоя на величину $\Delta y$ вплоть до 0.1 атомных долей в подрешетке элементов V группы. В большинстве случаев изменение y происходит в слое GaInAsP на протяжении до 200 нм от гетерограницы с InP. В отдельных случаях y изменяется на протяжении всего эпитаксиального слоя GaInPAs. Для эпитаксиальных слоев с удовлетворительным кристаллическим совершенством, величина $\Delta y$ была меньшей в случае лучшего согласования эпитаксиального слоя GaInPAs с подложкой. Для слоев GaInPAs, сильно рассогласованных с подложкой и характеризующихся низким кристаллическим совершенством, величина $\Delta y$ была близка к нулю. Все эти факты позволяют предположить, что на встраивание атомов V группы в формирующуюся кристаллическую решетку влияют упругие деформации, возникающие в формирующемся монослое, рассогласованном с ростовой поверхностью.