| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях) Фотоприемники Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием П. Н. Аруевa, М. М. Барышеваb, Б. Я. Берa, Н. В. Забродскаяa, В. В. Забродскийa, А. Я. Лопатинb, А. Е. Пестовb, М. В. Петренкоa, В. Н. Полковниковb, Н. Н. Салащенкоb, В. Л. Сухановa, Н. И. Чхалоb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 10, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n10ABEH014901 
Реферативные базы данных:
   Образец цитирования: П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|