П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [Quantum Electron., 42:10 (2012), 943

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 943–948 (Mi qe14901)

Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

Фотоприемники

Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием

П. Н. Аруев^a, М. М. Барышева^b, Б. Я. Бер^a, Н. В. Забродская^a, В. В. Забродский^a, А. Я. Лопатин^b, А. Е. Пестов^b, М. В. Петренко^a, В. Н. Полковников^b, Н. Н. Салащенко^b, В. Л. Суханов^a, Н. И. Чхало^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (890 kB) Список цитирования (26)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Разработана методика создания кремниевого фотодиода с интегрированным узкополосным Zr/Si фильтром для экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) спектрального диапазона. Создана установка для измерения профиля чувствительности детекторов с пространственным разрешением лучше 100 мкм. Исследованы оптические свойства кремниевых фотодиодов в ЭУФ и видимом спектральных диапазонах. Проведено сравнение ряда характеристик диодов SPD-100UV с Zr/Si-покрытием и без покрытия и AXUV-100. У всех типов детекторов обнаружена узкая область вне рабочей апертуры, чувствительная к видимому свету.

Ключевые слова: ЭУФ-излучение, кремниевый фотодиод, детектор, ЭУФ-фильтр.

Поступила в редакцию: 27.07.2012
Исправленный вариант: 06.08.2012

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 10, Pages 943–948
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n10ABEH014901

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 85.60.Dw, 42.79.Pw

Образец цитирования: П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe14901

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i10/p943

Эта публикация цитируется в следующих 26 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы