|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приведены сравнительные характеристики фотовольтаических преобразователей лазерного излучения на основе арсенида галлия с $p$-эмиттером, сформированным диффузией из газовой фазы в присутствии сурфактантов (изовалентных примесей) и без них. Показано, что использование индия и фосфора в процессе формирования $p$–$n$-перехода существенно влияет на характеристики полученных приборов.
Поступила в редакцию: 12.12.2016 Принята в печать: 19.12.2016
Образец цитирования:
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов, “Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703; Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6170 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p699
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 24 |
|