Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 13, страницы 44–50
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46326.17139 (Mi pjtf5762) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs

Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (213 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46326.17139
Аннотация: С помощью методов масс-спектрометрии вторичных ионов и резерфордовского обратного рассеяния протонов измерены профили концентрации атомов азота и исследована дефектная структура эпитаксиальных слоев GaAs, имплантированных ионами N$^{+}$ с энергией 250 keV и дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$–5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Установлено, что аморфизации имплантируемых слоев при дозах выше расчетного порога аморфизации не происходит, концентрация образовавшихся точечных дефектов значительно меньше расчетной, а характерной особенностью концентрационных профилей дефектов является их высокая концентрация в приповерхностном слое.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-19-01200
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Работа поддержана Российским научным фондом (проект № 17-19-01200). SIMS-измерения проводились на оборудовании ЦКП “Наука о материалах и диагностика перспективных технологий” (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), поддержанного Министерством образования и науки РФ (уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 29.11.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 7, Pages 574–576
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018070131
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobBerKaz18}
\by Н.~А.~Соболев, Б.~Я.~Бер, Д.~Ю.~Казанцев, А.~Е.~Калядин, К.~В.~Карабешкин, В.~М.~Микушкин, В.~И.~Сахаров, И.~Т.~Серенков, Е.~И.~Шек, Е.~В.~Шерстнев, Н.~М.~Шмидт
\paper Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 13
\pages 44--50
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5762}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.13.46326.17139}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35270656}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 7
\pages 574--576
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018070131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5762
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i13/p44
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024