Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs

С помощью методов масс-спектрометрии вторичных ионов и резерфордовского обратного рассеяния протонов измерены профили концентрации атомов азота и исследована дефектная структура эпитаксиальных слоев GaAs, имплантированных ионами N$^{+}$ с энергией 250 keV и дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$–5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Установлено, что аморфизации имплантируемых слоев при дозах выше расчетного порога аморфизации не происходит, концентрация образовавшихся точечных дефектов значительно меньше расчетной, а характерной особенностью концентрационных профилей дефектов является их высокая концентрация в приповерхностном слое.