|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022), 593–596  |
|
2021 |
| 2. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. С. Драгунова, А. М. Надточий, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1223–1228  |
| 3. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ф. И. Зубов, М. В. Фетисова, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 820–825 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, F. I. Zubov, M. V. Fetisova, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Saturation power of a semiconductor optical amplifier based on self-organized quantum dots”, Semiconductors, 55 (2021), s67–s71 |
1
|
| 4. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. С. Драгунова, “Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 195–200 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. S. Dragunova, “Impact of substrate in calculating the electrical resistance of microdisk lasers”, Semiconductors, 55:2 (2021), 250–255 |
1
|
| 5. |
Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, С. А. Блохин, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, “Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 3–6 |
| 6. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 28–31 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Energy consumption at high-frequency modulation of an uncooled InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 685–688 |
|
2020 |
| 7. |
А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840 ; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998 |
| 8. |
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, “Предельная температура генерации микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 570–574 ; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, “Ultimate lasing temperature of microdisk lasers”, Semiconductors, 54:6 (2020), 677–681 |
2
|
| 9. |
Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, С. А. Кадинская, M. Guina, А. Е. Жуков, “Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 212–216 ; È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, S. A. Kadinskaya, M. Guina, A. E. Zhukov, “Comparative analysis of injection microdisk lasers based on InGaAsN quantum wells and InAs/InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 54:2 (2020), 263–267 |
5
|
| 10. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, А. М. Можаров, С. А. Кадинская, О. И. Симчук, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 3–6 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, A. M. Mozharov, S. A. Kadinskaya, O. I. Simchuk, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Lasing of injection microdisks with InAs/InGaAs/GaAs quantum dots transferred to silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 783–786 |
4
|
| 11. |
Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 7–10 ; N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “A micro optocoupler based on a microdisk laser and a photodetector with an active region based on quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 629–632 |
3
|
| 12. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 3–7 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “The effect of self-heating on the modulation characteristics of a microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 515–519 |
4
|
|
2019 |
| 13. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Можаров, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1122–1127 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Mozharov, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Evaluation of the impact of surface recombination in microdisk lasers by means of high-frequency modulation”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1099–1103 |
2
|
| 14. |
Л. С. Басалаева, Ю. В. Настаушев, Ф. Н. Дульцев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, “Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 216–220 ; L. S. Basalaeva, Yu. V. Nastaushev, F. N. Dultsev, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, “Silicon nanopillar microarrays: formation and resonance reflection of light”, Semiconductors, 53:2 (2019), 205–209 |
1
|
| 15. |
М. В. Фетисова, А. А. Корнев, А. С. Букатин, Н. А. Филатов, И. Е. Елисеев, Н. В. Крыжановская, И. В. Редуто, Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 10–13 ; M. V. Fetisova, A. A. Kornev, A. S. Bukatin, N. A. Filatov, I. E. Eliseev, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Reduto, È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “The use of microdisk lasers based on InAs/InGaAs quantum dots in biodetection”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1178–1181 |
3
|
| 16. |
Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 37–39 ; F. I. Zubov, È. I. Moiseev, G. O. Kornyshov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, M. M. Kulagina, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Specific features of the current–voltage characteristic of microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 994–996 |
7
|
| 17. |
А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, Ф. И. Зубов, А. М. Можаров, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. М. Кулагина, С. А. Блохин, М. В. Максимов, “Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 49–51 ; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, A. M. Mozharov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, M. V. Maksimov, “Energy consumption for high-frequency switching of a quantum-dot microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 847–849 |
4
|
|
2018 |
| 18. |
Л. С. Басалаева, Ю. В. Настаушев, Ф. Н. Дульцев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, “Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов”, Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018), 695–699 ; L. S. Basalaeva, Yu. V. Nastaushev, F. N. Dultsev, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, “Reflection spectra of microarrays of silicon nanopillars”, Optics and Spectroscopy, 124:5 (2018), 730–734 |
1
|
| 19. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1518–1526 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, Yu. S. Balezina (Polubavkina), È. I. Moiseev, M. E. Muretova, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1621–1629 |
4
|
| 20. |
Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61 ; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 |
12
|
|
2017 |
| 21. |
А. В. Бабичев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. А. Блохин, М. А. Бобров, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1176–1181 ; A. V. Babichev, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. Yu. Egorov, “Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1127–1132 |
2
|
| 22. |
Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280 ; N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4$^\circ$ substrates”, Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271 |
4
|
| 23. |
Ю. С. Полубавкина, Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Е. С. Семенова, K. Yvind, Л. В. Асрян, А. Е. Жуков, “Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 263–268 ; Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov, “Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 51:2 (2017), 254–259 |
2
|
|
2016 |
| 24. |
Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428 ; F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. A. Lipovskii, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411 |
5
|
| 25. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397 ; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 |
13
|
| 26. |
С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79 ; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 |
3
|
|
Обратная связь: