Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 216–220
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47101.8956 (Mi phts5589) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света

Л. С. Басалаеваa, Ю. В. Настаушевa, Ф. Н. Дульцевab, Н. В. Крыжановскаяc, Э. И. Моисеевc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (384 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47101.8956
Аннотация: Представлены результаты исследования спектральных характеристик отражения микромассивов кремниевых нанопилларов (Si НП) в диапазоне длин волн от 400 до 1100 нм. Кремниевые нанопиллары были сформированы методом электронной литографии на негативном резисте с последующим реактивным ионным травлением через маску из резиста и SiO$_{2}$ толщиной 100 нм. В спектрах отражения микромассивов нанопилларов наблюдаются минимумы, положения которых сильно зависят от диаметра нанопилларов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00143
Российский фонд фундаментальных исследований 17-42-543293
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9787.2017/8.9
Работы по созданию образцов с микромассивами Si НП финансировались за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-22-00143). Исследование оптических свойств Si НП выполнено при финансовой поддержке РФФИ и правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 17-42-543293. Работы выполнялись с использованием оборудования ЦКП “Наноструктуры”. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (проект 3.9787.2017/8.9).
Поступила в редакцию: 10.07.2018
Исправленный вариант: 21.08.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 205–209
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020027
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Басалаева, Ю. В. Настаушев, Ф. Н. Дульцев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, “Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 216–220; Semiconductors, 53:2 (2019), 205–209
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasNasDul19}
\by Л.~С.~Басалаева, Ю.~В.~Настаушев, Ф.~Н.~Дульцев, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев
\paper Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 216--220
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5589}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47101.8956}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476846}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 205--209
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020027}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5589
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p216
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024