Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Novikov, Aleksei Vital'evich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 32
Scientific articles: 32

Number of views:
This page:122
Abstract pages:1799
Full texts:674
Doctor of physico-mathematical sciences (2021)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
Birth date: 6.03.1968
E-mail:
Website: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/17-novikov-aleksey-vitalevich/

https://www.mathnet.ru/eng/person183116
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Dependence of luminescence properties of the ordered groups of epitaxially grown Ge(Si) nanoislands on the parameters of pit-patterned SOI substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:12 (2021),  1210–1215  mathnet  elib 2
2. B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, K. E. Kudryavtsev, A. V. Novikov, P. A. Yunin, M. A. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Features of the structural and optical properties of InGaN layers obtained by the MBE PA method with a pulsed supply of metal flows”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  766–772  mathnet  elib
3. A. A. Ezhevskii, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. S. Gusev, “Generation of spin currents in $n$-silicon doped with phosphorus, antimony and bismuth and the influence of spin scattering processes with flip on them”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  654–658  mathnet  elib
4. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Formation and optical properties of locally strained Ge microstructures embedded into cavities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:5 (2021),  420–426  mathnet  elib; Semiconductors, 55:6 (2021), 531–536
2020
5. A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1150–1157  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 2
6. D. V. Yurasov, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. M. Sergeev, D. E. Utkin, Z. F. Krasil'nik, “Enhancement of the luminescence signal from self-assembled Ge(Si) nanoislands due to interaction with the modes of two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  822–829  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 975–981 2
7. Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  708–715  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 7
8. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Influence of the growth conditions and doping level on the luminescence kinetics of Ge:Sb layers grown on silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:7 (2020),  685–690  mathnet  elib; Semiconductors, 54:7 (2020), 811–816 1
2019
9. B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1395–1400  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 2
10. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1366–1371  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 7
11. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1360–1365  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 1
12. A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
13. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  897–902  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 3
2018
14. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
15. K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
16. A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1331–1336  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 3
17. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1028–1033  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 7
18. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
19. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:8 (2018),  11–19  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 1
2017
20. D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, V. B. Shmagin, A. V. Novikov, “Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1611–1615  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1552–1556
21. N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1599–1604  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 10
22. P. A. Bushuikin, A. V. Novikov, B. A. Andreev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, E. V. Demidov, G. M. Savchenko, V. Yu. Davydov, “Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1594–1598  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541
23. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
24. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
25. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 5
2016
26. N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1685–1689  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 1
27. A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin, “Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1657–1661  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1630–1634 1
28. A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1629–1633  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608
29. D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1532–1536  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 2
30. V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1497–1500  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478
31. D. N. Lobanov, A. V. Novikov, B. A. Andreev, P. A. Bushuikin, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, “Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  264–268  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 261–265 6
32. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:5 (2016),  40–48  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 2

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024