Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Астрова Екатерина Владимировна
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 31
Научных статей: 31

Статистика просмотров:
Эта страница:131
Страницы публикаций:1545
Полные тексты:852
кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person162207
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=41806

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021),  1381–1392  mathnet  elib; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  scopus 4
2. Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, Р. В. Соколов, Д. А. Кириленко, А. А. Левин, А. В. Парфеньева, В. П. Улин, “Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  373–387  mathnet  elib; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, R. V. Sokolov, D. A. Kirilenko, A. A. Levin, A. V. Parfeneva, V. P. Ulin, “Formation of silicon nanoclusters upon disproportionation of silicon monoxide”, Semiconductors, 55:4 (2021), 423–437 5
2020
3. Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, М. В. Байдакова, “Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  753–765  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Baidakova, “Interaction of fluorocarbon with silicon monoxide and processes of SiC nanowire formation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 900–911 4
4. Д. А. Ложкина, А. М. Румянцев, Е. В. Астрова, “Импедансная спектроскопия пористых кремниевых и кремний-углеродных анодов, полученных спеканием”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  310–318  mathnet  elib; D. A. Lozhkina, A. M. Rumyantsev, E. V. Astrova, “Impedance spectroscopy of porous silicon and silicon-carbon anodes produced by sintering”, Semiconductors, 54:3 (2020), 383–391 8
5. Е. В. Астрова, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, В. П. Улин, М. В. Байдакова, В. Н. Неведомский, А. В. Нащекин, “Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  14–18  mathnet  elib; E. V. Astrova, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, V. P. Ulin, M. V. Baidakova, V. N. Nevedomskiy, A. V. Nashchekin, “The effect of thermal treatment on properties of composite silicon–carbon anodes for lithium-ion batteries”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 114–117 4
2019
6. Г. В. Ли, Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, А. М. Румянцев, С. И. Павлов, Е. В. Берегулин, “Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов, полученные фотоанодированием кремния солнечной градации”, ЖТФ, 89:5 (2019),  711–716  mathnet  elib; G. V. Li, E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, A. M. Rumyantsev, S. I. Pavlov, E. V. Beregulin, “Negative electrodes for lithium-ion batteries obtained by photoanodization of solar-grade silicon”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 660–665 2
7. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина, “Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  540–549  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. V. Nashchekin, A. V. Parfeneva, D. A. Lozhkina, M. V. Tomkovich, Yu. A. Kukushkina, “Formation of porous silicon by nanopowder sintering”, Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539 3
8. Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, “Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  119–131  mathnet  elib; G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Photoanodization of $n$-Si in the presence of hydrogen peroxide: voltage dependence”, Semiconductors, 53:1 (2019), 114–126 1
9. Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. М. Румянцев, “Электрохимическая аморфизация как метод повышения скоростных характеристик кристаллических кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  16–20  mathnet  elib; G. V. Li, E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, “Electrochemical amorphization as a method to increase the rate capability of crystalline silicon anodes for lithium-ion batteries”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1131–1135 1
10. Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, В. Б. Воронков, “Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  29–32  mathnet  elib; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 7
2018
11. Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, “Влияние перекиси водорода на фотоанодирование $n$-Si в режиме пробоя”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1614–1624  mathnet  elib; G. V. Li, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, “Influence of hydrogen peroxide on the photoanodization of $n$-Si in the breakdown mode”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1721–1731 4
12. Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, Г. В. Ли, С. И. Павлов, “Образование макропор в $n$-Si при анодировании в органическом электролите”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  414–430  mathnet  elib; E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, G. V. Li, S. I. Pavlov, “Formation of macropores in $n$-Si upon anodization in an organic electrolyte”, Semiconductors, 52:3 (2018), 394–410 7
2017
13. Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1213–1222  mathnet  elib; E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1164–1173 1
14. Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1202–1212  mathnet  elib; E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, “High-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1153–1163 5
15. Н. Е. Преображенский, Е. В. Астрова, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, А. М. Румянцев, В. В. Жданов, “Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе $p$-Si с самоорганизующимися макропорами”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  79–88  mathnet  elib; N. E. Preobrazhenskii, E. V. Astrova, S. I. Pavlov, V. B. Voronkov, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Anodes for Li-ion batteries based on $p$-Si with self-organized macropores”, Semiconductors, 51:1 (2017), 78–87 10
2016
16. Е. В. Астрова, А. М. Румянцев, Г. В. Ли, А. В. Нащекин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, В. В. Жданов, “Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986  mathnet  elib; E. V. Astrova, A. M. Rumyantsev, G. V. Li, A. V. Nashchekin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, V. V. Zhdanov, “Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation”, Semiconductors, 50:7 (2016), 963–969 6
17. Е. В. Астрова, Г. В. Ли, А. М. Румянцев, В. В. Жданов, “Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  279–286  mathnet  elib; E. V. Astrova, G. V. Li, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, “Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries”, Semiconductors, 50:2 (2016), 276–283 8
1992
18. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, Ю. Н. Далуда, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56  mathnet  isi
1991
19. Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
1990
20. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  549–552  mathnet
21. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, И. Н. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4  mathnet  isi
1988
22. Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975  mathnet  isi
1986
23. Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
24. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  683–686  mathnet
1985
25. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, Б. М. Урунбаев, “Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
26. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, “Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1382–1385  mathnet
27. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1375–1381  mathnet
28. Е. В. Астрова, В. М. Гонтарь, А. А. Лебедев, “Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1273–1276  mathnet
29. Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Фотопроводимость кремния, легированного селеном”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  919–922  mathnet
30. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si(Cr)”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  917–919  mathnet
31. Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Энергетические уровни селена в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  597–600  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024