Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 119–131 (Mi phts5623)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения

Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы закономерности процесса электрохимического травления $n$-Si с низким уровнем легирования в условиях освещения обратной стороны образца при использовании раствора с малой концентрацией HF и высокой концентрацией перекиси водорода. Полученные данные сравниваются с данными для контрольного электролита, не содержащего H$_{2}$О$_{2}$. Исследованы морфология макропор, скорость их роста, пористость, эффективная валентность и количество растворенного кремния в зависимости от приложенного напряжения. Проведены исследования кинетики процесса при низком и высоком напряжении смещения. Обнаружено, что при одинаковой подсветке начальный фототок в перекисном электролите в $\sim$2 раза меньше, чем в электролите, не содержащем H$_{2}$О$_{2}$, что позволяет утверждать о более низкой квантовой эффективности фототока. Однако с увеличением времени травления ток в перекисном электролите сильно возрастает и становится больше, чем в контрольном электролите. Установлено, что в присутствии H$_{2}$O$_{2}$ скорость роста макропор в глубину возрастает более чем в 2 раза, а пористость уменьшается. Вертикальные каналы макропор имеют диаметр, меньший, чем в случае макропор, образовавшихся в водном электролите, и их стенки плохо пассивированы, что обусловливает ветвление и появление вторичных мезопор, число которых возрастает с напряжением. Эффективная валентность растворения кремния (выход по току) в присутствии H$_{2}$O$_{2}$ уменьшается до значений, меньших чем 2. Полученные результаты интерпретируются в рамках моделей Геришера и Коласинского.
Поступила в редакцию: 23.04.2018
Исправленный вариант: 25.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 114–126
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010147
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. В. Ли, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, “Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 119–131; Semiconductors, 53:1 (2019), 114–126
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LiAstLih19}
\by Г.~В.~Ли, Е.~В.~Астрова, А.~И.~Лихачев
\paper Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 119--131
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5623}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476673}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 114--126
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5623
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p119
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024