Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 9, страницы 1381–1392
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21
(Mi jtf4942)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физическое материаловедение

Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов

Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Дисперсные композитные материалы на базе моноокиси кремния и углерода (SiO/C) получены в результате термообработки смеси порошков, состоящей из 40 wt.% SiO и 60 wt.% CF$_{0.8}$. Отжиг производился в атмосфере аргона при температурах 1000 – 1250$^\circ$C. С помощью электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлено, что при $T\ge$ 1100$^\circ$C в твердофазном продукте появляется карбид кремния, в том числе в форме нановискеров кубической модификации. На основании данных об убыли веса реакционной смеси вычислен состав образующихся продуктов в зависимости от температуры отжига. Аноды, изготовленные из композитов, полученных при температуре выше 1100$^\circ$C, демонстрируют резкое падение емкости и кулоновской эффективности. Показано, что наблюдаемые изменения обусловлены не столько образованием SiC, сколько возрастанием содержания кислорода в матрице, окружающей преципитаты кремния, которые образовались в результате диспропорционирования SiO. Установлено, что оптимальной температурой отжига, обеспечивающей наиболее высокие значения емкости электродов, кулоновской эффективности первого цикла и способности работать при высоких плотностях тока, является $T$ = 1050$^\circ$C.
Ключевые слова: моноокcид кремния, карбонизация, вискеры карбида кремния, аноды для литий-ионных аккумуляторов.
Поступила в редакцию: 26.03.2021
Исправленный вариант: 23.04.2021
Принята в печать: 24.04.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 11, Pages 1228–1240
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221090103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1381–1392; Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LozAstLih21}
\by Д.~А.~Ложкина, Е.~В.~Астрова, А.~И.~Лихачев, А.~В.~Парфеньева, А.~М.~Румянцев, А.~Н.~Смирнов, В.~П.~Улин
\paper Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 9
\pages 1381--1392
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4942}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46470756}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 11
\pages 1228--1240
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221090103}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124602966}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4942
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i9/p1381
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024