Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1213–1222
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44885.8544
(Mi phts6041)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона

Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы температурная и временная зависимости процесса спекания макропористого кремния в Ar и Ar+3%H$_{2}$. Определен вклад различных механизмов, определяющих этот процесс. Особенности спекания макропористого кремния изучались с помощью изохронных и изотермических отжигов на образцах с регулярными и случайными макропорами в диапазоне 1000–1225$^\circ$С. Установлено, что на спекание макропористого кремния при атмосферном давлении в потоке инертного газа, содержащего 2 $\cdot$ 10$^{-4}$%O$_{2}$, существенное влияние оказывает термическое травление. Термическое травление конкурирует с процессами переноса вещества, характерными для спекания, и препятствует формированию на поверхности бездефектной корки. Причиной травления является образование газообразной моноокиси кремния, которая уносится вместе с потоком газа. Эффект травления преобладает в области низких температур и не зависит от добавки водорода. Полученные значения энергии активации коэффициента диффузии $E_{a}$ = 2.57 эВ и показатель степени $n$ = 3.31–3.74 в зависимости радиуса пор от времени $r\sim t^{1/n}$ свидетельствуют о смешанном механизме переноса вещества с помощью поверхностной и объемной диффузии атомов кремния.
Поступила в редакцию: 08.02.2017
Принята в печать: 16.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1164–1173
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1213–1222; Semiconductors, 51:9 (2017), 1164–1173
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstPrePav17}
\by Е.~В.~Астрова, Н.~Е.~Преображенский, С.~И.~Павлов, В.~Б.~Воронков
\paper Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1213--1222
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6041}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44885.8544}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973058}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1164--1173
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6041
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1213
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024