Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1202–1212
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44884.8543
(Mi phts6040)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа

Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Интерес к спеканию макропористого кремния обусловлен возможностью целенаправленно изменять его структуру. Проведение спекания макропористых структур в атмосфере аргона вместо водорода упрощает требования к оборудованию и технике безопасности. В настоящей работе исследовано спекание макропористого кремния, происходящее в результате отжига при $T$ = 1000–1280$^\circ$C в горизонтальной трубе, продуваемой газами высокой чистоты: Ar или Ar+3% H$_{2}$. Эксперименты проводились на слоях с глубокими цилиндрическими макропорами, изготовленными с помощью электрохимического травления образцов с затравочными ямками на поверхности (упорядоченные поры) и без таковых (случайные поры). Морфология пористой структуры и происходящие в ней изменения после отжига изучались с помощью электронного и оптического микроскопов. Показано, что в зависимости от диаметра пор и температуры обработки происходит сглаживание поверхности пор, закрытие пор и образование поверхностной корки, сфероидизация и распад цилиндрических пор на отдельные полые сферы, появление тонкой структуры и огранки. Показано, что минимальной поверхностной энергией обладают плоскости (111). Обнаружено, что при отжиге макропористого кремния в атмосфере инертного газа происходит интенсивное термическое травление, что проявляется в увеличении пористости или даже полном исчезновении пористого слоя на краю образца. Кроме того, при отжиге, особенно в области низких температур, наблюдается появление окисного налета в виде пленки, шариков или длинных нитей, образующих стекловату. Наблюдавшиеся особенности объясняются наличием в инертном газе следов окислителя, приводящего к образованию легко летучего SiO и продуктов реакции с его участием.
Поступила в редакцию: 08.02.2017
Принята в печать: 16.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1153–1163
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, С. И. Павлов, В. Б. Воронков, “Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1202–1212; Semiconductors, 51:9 (2017), 1153–1163
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstPrePav17}
\by Е.~В.~Астрова, Н.~Е.~Преображенский, С.~И.~Павлов, В.~Б.~Воронков
\paper Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1202--1212
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6040}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44884.8543}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973057}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1153--1163
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6040
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1202
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024