Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 540–549
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47455.9019 (Mi phts5549) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка

Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (3767 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47455.9019
Аннотация: Хорошо известный способ получения слоев макропористого кремния с помощью электрохимического и фотоэлектрохимического травления монокристаллических пластин является малопроизводительным и дорогим. В качестве альтернативного метода получения объемного макропористого кремния можно использовать высокотемпературное спекание порошка Si. В работе проведены исследования процесса спекания нанопорошка, предварительно прошедшего холодную компрессию всухую (без связующих добавок). Изучены свойства полученного материала (микроструктура, плотность и электропроводность) в зависимости от температуры и времени отжига. Обсуждаются способы изменения пористости спеченных образцов и методы определения площади внутренней поверхности.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Электронно-микроскопические исследования проводились в федеральном ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, поддержанного Министерством образования и науки РФ (Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 12.11.2018
Исправленный вариант: 22.11.2018
Принята в печать: 26.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 530–539
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. В. Нащекин, А. В. Парфеньева, Д. А. Ложкина, М. В. Томкович, Ю. А. Кукушкина, “Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 540–549; Semiconductors, 53:4 (2019), 530–539
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstVorNas19}
\by Е.~В.~Астрова, В.~Б.~Воронков, А.~В.~Нащекин, А.~В.~Парфеньева, Д.~А.~Ложкина, М.~В.~Томкович, Ю.~А.~Кукушкина
\paper Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 540--549
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5549}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47455.9019}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644629}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 530--539
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5549
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p540
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024