Влияние перекиси водорода на фотоанодирование $n$-Si в режиме пробоя

Проведено экспериментальное исследование анодного растворения низколегированного $n$-Si(100) в электролите, состоящем из 4% раствора HF в 30% перекиси водорода, при напряжении выше напряжения пробоя. Изучено влияние величины освещенности обратной стороны пластины на морфологию пористой структуры и на такие параметры, как пористость, эффективная валентность и скорость роста пор. Полученные данные сравниваются с данными для структур, подвергшихся фотоанодированию в водном электролите с той же концентрацией HF. Установлено, что наличие перекиси водорода значительно меняет морфологию макропор, уменьшает их диаметр и увеличивает в $\sim$2 раза скорость роста в глубь подложки. В присутствии H$_{2}$O$_{2}$ наблюдается появление наклонных вторичных пор, ориентированных под углом 15–35$^\circ$ к оси основного канала, и увеличение числа пробойных мезопор, распространяющихся в направлениях $\langle$100$\rangle$ в плоскости, параллельной поверхности образца. Эффективная валентность электрохимического растворения кремния в электролите HF : H$_{2}$O$_{2}$ при низком уровне подсветки близка к единице и возрастает с интенсивностью света, оставаясь всегда меньше 2.