Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 279–286 (Mi phts6553)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов

Е. В. Астрова, Г. В. Ли, А. М. Румянцев, В. В. Жданов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Изучены периодические высокоаспектные структуры с тонкими вертикальными стенками с точки зрения применимости их в качестве отрицательных электродов литий-ионных аккумуляторов. Наноструктуры изготовлены из монокристаллического кремния с помощью фотолитографии, электрохимического анодирования и последующего анизотропного шейпинга. Проведено сравнение емкости на единицу видимой поверхности электрода и удельной площади внутренней поверхности для структур разной архитектуры: одномерных – столбиков, двумерных – зигзагообразных стенок и трехмерных структур в виде сетки. Основное внимание уделено ресурсным испытаниям анодов на основе зигзага и сетки путем гальваностатического циклирования их в полуячейках с литиевым противоэлектродом. Определено влияние геометрических параметров Si-структур и режима тестирования на скорость деградации. Показано, что лимитирующим фактором процесса внедрения и экстракции лития является диффузия, а ресурс электрода резко возрастает при ограничении зарядной емкости величиной $\sim$1000 мА $\cdot$ ч/г. При этом наноструктуры со стенками толщиной 300 нм, подвергшиеся циклическим испытаниям со скоростью 0.36 C, сохраняют постоянное значение разрядной емкости и кулоновскую эффективность, близкую к 100%, в течение более чем 1000 циклов.
Поступила в редакцию: 02.06.2015
Принята в печать: 15.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 276–283
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, Г. В. Ли, А. М. Румянцев, В. В. Жданов, “Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 279–286; Semiconductors, 50:2 (2016), 276–283
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstLiRum16}
\by Е.~В.~Астрова, Г.~В.~Ли, А.~М.~Румянцев, В.~В.~Жданов
\paper Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 279--286
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6553}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668137}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 276--283
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6553
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p279
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024