Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 310–318
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49039.9299
(Mi phts5270)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Импедансная спектроскопия пористых кремниевых и кремний-углеродных анодов, полученных спеканием

Д. А. Ложкина, А. М. Румянцев, Е. В. Астрова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Спеченные всухую макропористые Si-электроды для Li-ионных аккумуляторов впервые изучаются с помощью спектральной импедансометрии. Полученные спектры в литированном и делитированном состояниях моделируются эквивалентной электрической схемой, параметры которой позволяют вычленить роль электрохимических процессов, обусловленных поверхностным слоем твердофазного электролита (SEI), двойным электрическим слоем и диффузией в твердой фазе материала электрода. Показано, что эффективный коэффициент диффузии Li в Si увеличивается по мере возрастания степени литирования от $D$ = 6.5 $\cdot$ 10$^{-12}$ до 2.6 $\cdot$ 10$^{-10}$ см$^{2}$/с. Изучено влияние карбонизации, проводившейся путем пиролиза сахарозы, которая привела к снижению импеданса и возрастанию коэффициента диффузии лития до $D$ = 2.2 $\cdot$ 10$^{-10}$–1.7 $\cdot$ 10$^{-9}$ см$^{2}$/с.
Ключевые слова: литий-ионные аккумуляторы, электрохимическая импедансная спектроскопия, кремниевые аноды, карбонизация, коэффициент диффузии лития в кремнии.
Поступила в редакцию: 29.10.2019
Исправленный вариант: 05.11.2019
Принята в печать: 05.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 383–391
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030124
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Ложкина, А. М. Румянцев, Е. В. Астрова, “Импедансная спектроскопия пористых кремниевых и кремний-углеродных анодов, полученных спеканием”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 310–318; Semiconductors, 54:3 (2020), 383–391
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LozRumAst20}
\by Д.~А.~Ложкина, А.~М.~Румянцев, Е.~В.~Астрова
\paper Импедансная спектроскопия пористых кремниевых и кремний-углеродных анодов, полученных спеканием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 310--318
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5270}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49039.9299}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776688}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 383--391
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030124}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5270
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p310
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:60
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024