Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC

При изучении процессов термической карбонизации моноокиси кремния в присутствии нестехиометрического монофторида углерода было обнаружено, что повышение температуры отжига смесей порошков SiO и CF$_{x}$ в квазизамкнутом объеме до 1000$^\circ$С и выше ведет к выделению нитевидных нанокристаллов SiC. Проведенные исследования показали, что параллельно с известным процессом кристаллизации нанонитей SiC в результате взаимодействия паров SiO с угарным газом в их образовании принимает участие неописанное ранее взаимодействие СО с газофазным дифторидом кремния SiF$_{2}$. При температурах ниже 1200$^\circ$С эта реакция оказывается доминирующей, давая наибольший вклад в выход нанонитей SiC.