Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 414–430
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45631.8695
(Mi phts5907)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Образование макропор в $n$-Si при анодировании в органическом электролите

Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, Г. В. Ли, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование фотоэлектрохимического травления электронного кремния, предназначенного для солнечных элементов, в диметилформамиде, содержащем 4% HF. Изучены морфология пор, пористость, эффективная валентность и скорость травления в зависимости от приложенного напряжения, интенсивности освещения обратной стороны образца и длительности процесса. Установлено, что закономерности анодирования $n$-Si в органическом электролите существенно отличаются от таковых в случае водных растворов. Это проявляется в том, что при напряжении выше порогового, в так называемом пробойном режиме, макропоры с вертикальными стенками начинают размножаться и интенсивно ветвиться за счет появления боковых пор. Появление вторичных пор сопровождается увеличением пористости, снижением скорости распространения пористого фронта в глубь подложки и быстрым переходом в режим электрополировки. В пробойном режиме при малых уровнях подсветки обнаружена фрактальная структура макропор, распространяющихся по определенным кристаллографическим направлениям: $\langle$100$\rangle$ и, что ранее не наблюдалось, $\langle$111$\rangle$. Показано, что морфологией макропор можно управлять в процессе анодирования путем перехода из одного режима в другой при изменении внешних параметров: напряжения или подсветки. Показано, что использование органического электролита позволяет получать макропористые мембраны с высокой пористостью, значительно превышающей пористость макропористых мембран, сформированных в водных электролитах при тех же условиях.
Поступила в редакцию: 26.07.2017
Принята в печать: 21.08.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 394–410
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030053
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, Г. В. Ли, С. И. Павлов, “Образование макропор в $n$-Si при анодировании в органическом электролите”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 414–430; Semiconductors, 52:3 (2018), 394–410
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstPreLi18}
\by Е.~В.~Астрова, Н.~Е.~Преображенский, Г.~В.~Ли, С.~И.~Павлов
\paper Образование макропор в $n$-Si при анодировании в органическом электролите
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 414--430
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5907}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45631.8695}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739698}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 394--410
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030053}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5907
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p414
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024