Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Цацульников Андрей Федорович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 23
Научных статей: 23

Статистика просмотров:
Эта страница:169
Страницы публикаций:1649
Полные тексты:728
Списки литературы:95
старший научный сотрудник
доктор физико-математических наук (2019)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:
Сайт: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_staff_tsatsulnikovaf_ru.htm

Научная биография:

Цацульников, Андрей Федорович. Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в $GaAs$ : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 184 с.

Цацульников, Андрей Федорович. Светоизлучающие $III-N$ гетероструктуры с трёхмерной локализацией носителей заряда : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.10; [Место защиты: Физико-технич. институт им. А.Ф. Иоффе РАН]. - Санкт-Петербург, 2019. - 200 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person74831
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=31672

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737  mathnet  elib 1
2. Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6  mathnet  elib 3
3. Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 6
2020
4. M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684 4
5. А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6  mathnet  elib; A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 2
2019
6. S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337
7. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 6
2018
8. В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 5
9. В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58  mathnet  elib; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 1
2017
10. Г. М. Савченко, В. В. Дюделев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский, “Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники”, Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683  mathnet  elib; G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1702–1705 5
11. В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104  mathnet  elib; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 2
2016
12. Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604  mathnet  elib; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 5
13. А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454  mathnet  elib; A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1431–1434 5
14. А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов, “Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 3
15. А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, М. А. Яговкина, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, “Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269  mathnet  elib; A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 1
16. В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249  mathnet  elib; V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 23
17. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 5
18. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434
2001
19. И. Л. Крестников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Д. А. Бедарев, Е. Е. Заварин, Ю. Г. Мусихин, Н. М. Шмидт, А. Ф. Цацульников, А. С. Усиков, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, “Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы”, УФН, 171:8 (2001),  857–858  mathnet; I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 1
20. В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1991
21. А. А. Гуткин, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Фотолюминесценция, связанная с центрами Au$_{\text{Ga}}$ в GaAs : Au”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  508–512  mathnet
1990
22. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676  mathnet  isi 1
1988
23. Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]”, Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024