Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1390 (Mi phts6689)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Nanostructure Characterization

Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image

M. I. Mitrofanova, G. V. Voznyuka, S. N. Rodina, W. V. Lundina, V. P. Evtikhieva, A. F. Tsatsulnikovb, M. A. Kaliteevskic

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b SHM R&E Center, Russian Academy of Sciences, 199034 St. Petersburg, Russia
c ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (25 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: A new approach for calculating the ion dose spatial distribution of the focused ion beam is proposed. The approach is based on the analysis of the secondary electron microscopy image of the area irradiated by the focused ion beam.
Ключевые слова: FIB, focused ion beam distribution, ion beam lithography.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
M.A. Kaliteevski is grateful to the Russian Science Foundation for supporting the work (grant no. 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1682–1684
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120246
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1390; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MitVozRod20}
\by M.~I.~Mitrofanov, G.~V.~Voznyuk, S.~N.~Rodin, W.~V.~Lundin, V.~P.~Evtikhiev, A.~F.~Tsatsulnikov, M.~A.~Kaliteevski
\paper Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1390
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6689}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1682--1684
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6689
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1390
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024