|
Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1390
(Mi phts6689)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Nanostructure Characterization
Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
M. I. Mitrofanova, G. V. Voznyuka, S. N. Rodina, W. V. Lundina, V. P. Evtikhieva, A. F. Tsatsulnikovb, M. A. Kaliteevskic a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b SHM R&E Center, Russian Academy of Sciences, 199034 St. Petersburg, Russia
c ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
Аннотация:
A new approach for calculating the ion dose spatial distribution of the focused ion beam is proposed. The approach is based on the analysis of the secondary electron microscopy image of the area irradiated by the focused ion beam.
Ключевые слова:
FIB, focused ion beam distribution, ion beam lithography.
Поступила в редакцию: 23.06.2020 Исправленный вариант: 23.07.2020 Принята в печать: 27.07.2020
Образец цитирования:
M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1390; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6689 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1390
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 14 |
|