|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Ф. Ф. Мурзаханов, М. А. Садовникова, Г. В. Мамин, Д. В. Шуртакова, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, М. Р. Гафуров, “Оптическая спиновая инициализация азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном ($^{28}$Si) кристалле 6H-SiC для квантовых технологий”, Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024), 587–592  ; F. F. Murzakhanov, M. A. Sadovnikova, G. V. Mamin, D. V. Shurtakova, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, M. R. Gafurov, “Optical spin initialization of nitrogen vacancy centers in a $^{28}$Si-enriched 6H-SiC crystal for quantum technologies”, JETP Letters, 119:8 (2024), 593–598 |
1
|
| 2. |
Ф. Ф. Мурзаханов, Г. В. Мамин, М. А. Садовникова, Д. В. Шуртакова, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, М. Р. Гафуров, “Влияние условий фотовозбуждения на спиновую поляризацию азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном карбиде кремния $6$H-$^{28}$SiC”, Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 166:2 (2024), 187–199 |
|
2023 |
| 3. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий”, Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 639–648 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Identification of optically active quartet spin centers based on a Si vacancy in SiC promising for quantum technologies”, JETP Letters, 118:9 (2023), 629–636 |
4
|
|
2022 |
| 4. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Manifestations of electron-nuclear interactions in the high-frequency ENDOR/ODMR spectra for triplet Si-C divacancies in $^{13}$C-enriched SiC”, JETP Letters, 116:7 (2022), 485–492 |
2
|
|
2021 |
| 5. |
Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 533–540 ; R. A. Babunts, A. N. Anisimov, I. D. Breev, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Fully optical detection of hyperfine electron–nuclear interactions in spin centers in 6h-sic crystals with a modified 13c isotope content”, JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469  |
3
|
| 6. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278  |
3
|
| 7. |
С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, Б. Я. Бер, А. А. Анисимов, И. Д. Бреев, “Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 513–517  ; S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, B. Ya. Ber, A. A. Anisimov, I. D. Breev, “Origin of green coloration in AlN crystals grown on SiC seeds”, Semiconductors, 55:6 (2021), 546–550 |
| 8. |
И. Д. Бреев, В. Д. Яковлева, О. С. Кудрявцев, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, А. Н. Анисимов, “Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 251–255 ; I. D. Breev, V. V. Yakovleva, O. S. Kudryavtsev, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, A. N. Anisimov, “On the Raman scattering, infrared absorption, and luminescence spectroscopy of aluminum nitride doped with beryllium”, Semiconductors, 55:3 (2021), 328–332 |
|
2020 |
| 9. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 813–819 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “High-temperature spin manipulation on color centers in rhombic silicon carbide polytype 21R-SiC”, JETP Letters, 112:12 (2020), 774–779 |
4
|
| 10. |
Е. Н. Мохов, М. К. Рабчинский, С. С. Нагалюк, М. Р. Гафуров, О. П. Казарова, “Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 224–227 ; E. N. Mokhov, M. K. Rabchinskii, S. S. Nagalyuk, M. R. Gafurov, O. P. Kazarova, “Effect of the beryllium acceptor impurity upon the optical properties of single-crystal AlN”, Semiconductors, 54:3 (2020), 278–281 |
8
|
|
2019 |
| 11. |
Е. Н. Мохов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, “Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2298–2302 ; E. N. Mokhov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, “Growing bulk aluminum nitride and gallium nitride crystals by the sublimation sandwich method”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2286–2290 |
1
|
| 12. |
И. Д. Бреев, А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1593–1596 ; I. D. Breev, A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, E. N. Mokhov, “Raman scattering in AlN crystals grown by sublimation on SiC и AlN seeds”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1558–1561 |
11
|
| 13. |
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848 ; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794 |
15
|
|
2018 |
| 14. |
И. В. Ильин, Ю. А. Успенская, Д. Д. Крамущенко, М. В. Музафарова, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 641–659 ; I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 |
3
|
| 15. |
А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов, “Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1104–1106 ; A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, E. N. Mokhov, “Raman spectra of thick epitaxial GaN layers formed on SiC by the sublimation sandwich method”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1225–1227 |
2
|
|
2017 |
| 16. |
Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк, “Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106 ; E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, V. A. Soltamov, S. S. Nagalyuk, “Influence of neutron irradiation on etching of SiC in KOH”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1119–1121 |
|
2016 |
| 17. |
М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2319–2335 ; M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422 |
5
|
| 18. |
A. N. Anisimov, R. A. Babunts, S. V. Kidalov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 83 ; JETP Letters, 104:2 (2016), 82–87 |
8
|
| 19. |
А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29 ; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 |
2
|
| 20. |
Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов, “Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 91–96 ; Yu. V. Zhilyaev, V. V. Zelenin, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, N. K. Poletaev, A. P. Skvortsov, “Absorption spectra of bulk aluminum nitride crystals doped with Er$^{3+}$ ions”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 156–159 |
1
|
|
2005 |
| 21. |
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 494–497 ; P. G. Baranov, I. V. Il'in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, J. Shmidt, “EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide”, JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443 |
79
|
|
1992 |
| 22. |
А. П. Гаршин, Е. А. Лавренова, Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, “Влияние примесей и собственных дефектов на физико-механические свойства монокристаллов карбида кремния”, Физика твердого тела, 34:9 (1992), 2748–2752 |
| 23. |
Е. Н. Мохов, Е. Д. Горнушкина, В. А. Дидик, В. В. Козловский, “Диффузия фосфора в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1956–1958 |
| 24. |
Ю. А. Водаков, А. И. Гирка, А. О. Константинов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, С. В. Свирида, В. В. Семенов, В. И. Соколов, А. В. Шишкин, “Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми
электронами”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1857–1860 |
| 25. |
Т. Л. Петренко, В. В. Тесленко, Е. Н. Мохов, “ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1556–1564 |
| 26. |
Р. Г. Веренчикова, Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1008–1014 |
| 27. |
Ю. А. Водаков, А. А. Вольфсон, Г. В. Зарицкий, Е. Н. Мохов, А. Г. Остроумов, А. Д. Роенков, В. В. Семенов, В. И. Соколов, В. А. Сыралев, В. Е. Удальцов, “Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 107–110 |
| 28. |
А. А. Мальцев, Е. Н. Мохов, “О легировании бором и азотом эпитаксиальных слоев 6H SiC,
выращиваемых сублимацией в избытке кремния”, Письма в ЖТФ, 18:14 (1992), 41–45 |
| 29. |
Е. Н. Мохов, В. А. Дидик, В. В. Козловский, “О переносе примеси фосфора из сублимирующегося источника SiC
в эпитаксиальный слой”, Письма в ЖТФ, 18:6 (1992), 59–62 |
|
1991 |
| 30. |
Ю. А. Водаков, Е. Н. Калабухова, С. Н. Лукин, А. А. Лепнева, Е. Н. Мохов, Б. Д. Шанина, “ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4$H$ SiC”, Физика твердого тела, 33:11 (1991), 3315–3326 |
| 31. |
В. С. Вавилов, Ю. А. Водаков, А. И. Иванов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, М. В. Чукичев, Р. Г. Веренчикова, “Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми
электронами”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 762–766 |
|
1990 |
| 32. |
А. С. Трегубова, Е. Н. Мохов, И. Л. Шульпина, “Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности”, Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2311–2315 |
| 33. |
Е. Н. Калабухова, С. Н. Лукин, Б. Д. Шанина, Л. В. Артамонов, Е. Н. Мохов, “Эффекты прыжковой проводимости в спектрах ЭПР 4$H$SiC, сильно легированных азотом”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 818–825 |
| 34. |
Е. Н. Калабухова, С. Н. Лукин, Б. Д. Шанина, Е. Н. Мохов, “Влияние Ge и избыточного Si на спектр ЭПР донорных состояний азота в 6$H$SiC”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 789–795 |
| 35. |
Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, М. И. Федоров, Р. Г. Веренчикова, “Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным
«сэндвич$-$методом» в вакууме”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 33–37 |
| 36. |
Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. В. Семенов, В. И. Соколов, Р. Г. Веренчикова, А. О. Константинов, В. Г. Одинг, “Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 25–30 |
| 37. |
Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, А. Д. Семенов, А. Л. Роенков, В. И. Соколов, “Фиолетовые светодиоды на базе гетероэпитаксиальных слоев
6H/4H${-}\text{SiC}\langle\text{Ga, N}\rangle$, выращенных сублимационным
«сэндвич-методом»”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 19–22 |
|
1989 |
| 38. |
Е. Н. Калабухова, Н. Н. Кабдин, С. Н. Лукин, Е. Н. Мохов, Б. Д. Шанина, “Спектры ЭПР неэквивалентных позиций азота в $15R$ SiC”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 50–59 |
| 39. |
А. И. Гирка, В. А. Кулешин, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин, “Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном
электронами карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2159–2163 |
| 40. |
А. И. Гирка, В. А. Кулешин, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин, “Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1270–1274 |
| 41. |
А. И. Гирка, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, В. М. Осадчиев, С. В. Свирида, А. В. Шишкин, “Наблюдение фазовых превращений в системах
матрица$-$примесь$-$вакансионные дефекты методом аннигиляции позитронов”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989), 79–83 |
| 42. |
А. И. Иванов, Е. Н. Мохов, В. Г. Одинг, B. C. Вавилов, Ю. А. Водаков, М. В. Чукичев, “Высокотемпературная люминесценция в $6H$-SiC, легированном Ga и N”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 38–41 |
| 43. |
Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов, В. И. Соколов, B. C. Вавилов, А. И. Иванов, М. В. Чукичев, “Катодолюминесценция SiC-6H, легированного Ga, при высоких уровнях
возбуждения”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 60–64 |
| 44. |
А. И. Гирка, А. Ю. Дидык, А. Д. Мокрушин, Е. Н. Мохов, С. В. Свирида, А. В. Шишкин, В. Г. Шмаровоз, “Кластеризация вакансий в процессе термического отжига карбида
кремния, облученного тяжелыми ионами”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989), 24–27 |
|
1988 |
| 45. |
Р. Н. Кютт, А. А. Лепнева, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, А. С. Трегубова, М. М. Щеглов, Г. Ф. Юлдашев, “Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния”, Физика твердого тела, 30:9 (1988), 2606–2610 |
| 46. |
Е. Н. Мохов, Е. Е. Гончаров, Г. Г. Рябова, “Изоконцентрационная диффузия бора в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 30:1 (1988), 248–251 |
| 47. |
А. С. Бараш, Ю. А. Водаков, Е. Н. Кольцова, А. А. Мальцев, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе
гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H”, Письма в ЖТФ, 14:24 (1988), 2222–2226 |
|
1987 |
| 48. |
Ю. А. Водаков, К. Д. Демаков, Е. В. Калинина, Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, Г. Ф. Холуянов, “Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния,
полученной ионным легированием алюминия”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1685–1689 |
| 49. |
Ю. А. Водаков, Е. Е. Гончаров, Г. А. Ломакина, А. А. Мальцев, Е. Н. Мохов, В. Г. Одинг, “Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев
карбида кремния, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 207–211 |
| 50. |
Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, А. Д. Роенков, А. А. Вольфсон, А. С. Трегубова, И. Л. Шульпина, “Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 641–645 |
|
1986 |
| 51. |
А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, “Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1659–1664 |
| 52. |
Ю. А. Водаков, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, М. Г. Рамм, В. И. Соколов, “Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной
люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном
$6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2153–2158 |
| 53. |
Ю. А. Водаков, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. Г. Одинг, М. Г. Рамм, В. И. Соколов, “Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC
при генерации избыточных углеродных вакансий”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1433–1437 |
| 54. |
С. А. Полтинников, Ю. А. Водаков, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. В. Семёнов, А. Д. Роенков, “Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986), 261–264 |
|
1985 |
| 55. |
Е. Е. Гончаров, А. Г. Зубатов, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, Г. Г. Рябова, “Диффузия, растворимость и ЭПР лития в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 27:11 (1985), 3479–3481 |
| 56. |
А. Г. Зубатов, И. М. Зарицкий, С. Н. Лукин, Е. Н. Мохов, В. Г. Степанов, “ЭПР в карбиде кремния, легированном бором”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 322–329 |
| 57. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Ударная ионизация в политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 814–818 |
| 58. |
Н. Г. Романов, В. А. Ветров, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, В. Г. Одинг, “ОДМР в $\alpha-Si\,C$, легированном бором”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1168–1172 |
|
1984 |
| 59. |
А. И. Вейнгер, А. А. Лепнева, Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. И. Соколов, “Отжиг радиационных дефектов в $n$-SiC ($6H$), обученном
нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2014–2019 |
| 60. |
Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, “Электрические свойства сильно легированного
$6H\text{-SiC}\langle\text{Al}\rangle$, облученного нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1911–1913 |
| 61. |
В. Г. Одинг, Ю. А. Водаков, Е. В. Калинина, Е. Н. Мохов, К. Д. Демаков, В. Г. Столярова, Г. Ф. Холуянов, “Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 700–703 |
| 62. |
Е. Н. Мохов, Е. Е. Гончаров, Г. Г. Рябова, “Диффузия бора в дырочном карбиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 49–53 |
| 63. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале
с естественной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 10:5 (1984), 303–306 |
|
1983 |
| 64. |
Г. А. Ломакина, Е. Н. Мохов, В. Г. Одинг, “Прыжковая проводимость в $6H$-SiC, легированном Al”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 115–118 |
|
Обратная связь: