Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2023, том 118, выпуск 9, страницы 639–648
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823210036 (Mi jetpl7073) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий

Р. А. Бабунцa, Ю. А. Успенскаяa, А. П. Бундаковаa, Г. В. Маминb, Е. Н. Моховa, П. Г. Барановa

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
b Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
PDF полного текста (1620 kB) Первая страница Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823210036
Аннотация: В карбиде кремния идентифицированы оптически активные (яркие) и оптически пассивные (темные) квартетные спиновые центры окраски с $S=3/2$, включающие отрицательно заряженную вакансию кремния. Использовался высокочастотный двойной электронно-ядерный резонанс на ядрах изотопа $^{13}$С, усиленный десятикратным увеличением содержания этого изотопа. В ярком центре, перспективном для квантовых технологий, происходит оптически индуцированное выстраивание населенностей спиновых уровней, тогда как для темного центра, представляющего собой изолированную отрицательно заряженную вакансию кремния V$_{\text{Si}}^-$, населенности спиновых уровней соответствуют больцмановскому распределению и не изменяются при оптическом возбуждении.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-12-00152
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда # 23-12-00152, https://rscf.ru/project/23-12-00152/.
Поступила в редакцию: 08.09.2023
Исправленный вариант: 09.10.2023
Принята в печать: 11.10.2023
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2023, Volume 118, Issue 9, Pages 629–636
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364023603135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий”, Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 639–648; JETP Letters, 118:9 (2023), 629–636
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabUspBun23}
\by Р.~А.~Бабунц, Ю.~А.~Успенская, А.~П.~Бундакова, Г.~В.~Мамин, Е.~Н.~Мохов, П.~Г.~Баранов
\paper Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2023
\vol 118
\issue 9
\pages 639--648
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl7073}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567823210036}
\edn{https://elibrary.ru/prqecv}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2023
\vol 118
\issue 9
\pages 629--636
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364023603135}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl7073
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v118/i9/p639
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    Список литературы:18
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024