Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом

Исследованы спектры рамановского рассеяния толстых ($\sim$100 мкм и более) слоев GaN, выращенных на SiC кристаллах-подложках посредством сублимационного сандвич-метода. Хорошее совпадение полученных нами спектров SiC-подложек с приводимыми в литературе свидетельствует о надежности наших измерений, а минимальные различия между нашими и литературными результатами для слоев GaN означают, что по качеству слои, выращенные нами с помощью сублимационного сандвич-метода, не уступают изготовленным методами MOVPE или CHVPE.