|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 7, страницы 494–497
(Mi jetpl1581)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 79 научных статьях (всего в 79 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР
П. Г. Барановa, И. В. Ильинa, Е. Н. Моховa, М. В. Музафароваa, С. Б. Орлинскийb, Я. Шмидтb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands
Аннотация:
Показано, что собственные дефекты, ответственные за полуизолирующие свойства SiC, представляют собой дивакансии Si-C в нейтральном состоянии ($V_\mathrm{Si}\text{--}V_\mathrm C)^0$, имеющие триплетное основное состояние. Установлена схема энергетических уровней и механизм создания фотоиндуцированной инверсной населенности триплетных подуровней основного состояния дивакансии, и сделан вывод о наличии синглетного возбужденного уровня, через который и осуществляется спиновая поляризация, что открывает возможность регистрации магнитного резонанса на одиночных дивакансиях.
Поступила в редакцию: 17.08.2005
Образец цитирования:
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 494–497; JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1581 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i7/p494
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 399 | PDF полного текста: | 111 | Список литературы: | 55 |
|