Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 7, страницы 494–497 (Mi jetpl1581)  
Эта публикация цитируется в 79 научных статьях (всего в 79 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР

П. Г. Барановa, И. В. Ильинa, Е. Н. Моховa, М. В. Музафароваa, С. Б. Орлинскийb, Я. Шмидтb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands
PDF полного текста (336 kB) Список цитирования (79)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Показано, что собственные дефекты, ответственные за полуизолирующие свойства SiC, представляют собой дивакансии Si-C в нейтральном состоянии ($V_\mathrm{Si}\text{--}V_\mathrm C)^0$, имеющие триплетное основное состояние. Установлена схема энергетических уровней и механизм создания фотоиндуцированной инверсной населенности триплетных подуровней основного состояния дивакансии, и сделан вывод о наличии синглетного возбужденного уровня, через который и осуществляется спиновая поляризация, что открывает возможность регистрации магнитного резонанса на одиночных дивакансиях.
Поступила в редакцию: 17.08.2005
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, Volume 82, Issue 7, Pages 441–443
DOI: https://doi.org/10.1134/1.2142873
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Ji, 61.72.Bb, 76.30.-v
Образец цитирования: П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский, Я. Шмидт, “Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 494–497; JETP Letters, 82:7 (2005), 441–443
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarIliMok05}
\by П.~Г.~Баранов, И.~В.~Ильин, Е.~Н.~Мохов, М.~В.~Музафарова, С.~Б.~Орлинский, Я.~Шмидт
\paper Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 82
\issue 7
\pages 494--497
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1581}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 82
\issue 7
\pages 441--443
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.2142873}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000233602800013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-28744440591}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1581
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i7/p494
    • Эта публикация цитируется в следующих 79 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:394
    PDF полного текста:108
    Список литературы:54
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024