Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР

Приведены результаты исследований акцепторов III группы (B, Al, Ga) в кристаллах карбида кремния с использованием наиболее информативных методов электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса и рассмотрены структурные модели акцепторов с мелкими уровнями и с глубокими уровнями. Наряду с данными, полученными ранее, добавлены исследования с использованием высокочастотных методов магнитного резонанса, позволивших обнаружить орторомбические отклонения от аксиальной симметрии для глубоких акцепторов, и проведен теоретический анализ, объясняющий наблюдаемые в экспериментах сдвиги $g$-факторов для глубоких акцепторов, обусловленные появлением орторомбических искажений, вероятно, вследствие наличия эффекта Яна–Теллера.