|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
Е. Н. Моховa, М. К. Рабчинскийa, С. С. Нагалюкa, М. Р. Гафуровb, О. П. Казароваa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Казанский (Приволжский) федеральный университет
Аннотация:
Исследовано влияние высокотемпературной ($T$ = 1880$^\circ$C) диффузии ионов бериллия на свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что постростовое легирование AlN бериллием приводит к компенсации мелких донорных центров кремния, входящих в решетку AlN неконтролируемым образом в ходе роста. Установлено, что введение Be в решетку AlN приводит к снижению оптического поглощения последнего в видимом и ультрафиолетовом диапазонах. Совокупность результатов объясняется сдвигом положения уровня Ферми, вызванным введением акцепторной примеси бериллия, в сторону потолка валентной зоны AlN.
Ключевые слова:
AlN, примесь Ве, диффузия, оптические свойства.
Поступила в редакцию: 23.10.2019 Исправленный вариант: 29.10.2019 Принята в печать: 29.10.2019
Образец цитирования:
Е. Н. Мохов, М. К. Рабчинский, С. С. Нагалюк, М. Р. Гафуров, О. П. Казарова, “Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 224–227; Semiconductors, 54:3 (2020), 278–281
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5256 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p224
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | PDF полного текста: | 11 |
|