Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 112, выпуск 12, страницы 813–819
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820240052 (Mi jetpl6325) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC

А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (1368 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820240052
Аннотация: В ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC, рассматриваемом в качестве естественной сверхрешетки, обнаружено семейство центров окраски атомарного масштаба, спиновым состоянием которых можно управлять по оптическому и микроволновому каналам. Наблюдались нуль-фононные линии фотолюминесценции, соответствующие центрам со спином 3/2, отличающихся расщеплениями тонкой структуры в основном и возбужденном состояниях. Продемонстрированы гигантские изменения интенсивности фотолюминесценции в условиях магнитного резонанса и антипересечения спиновых уровней основного и возбужденного состояний, открывающие возможности для применений в магнитометрии, термометрии и квантовых вычислениях.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-12-00216
Работа выполнена при поддержке Российского Научного Фонда (РНФ) # 20-12-00216.
Поступила в редакцию: 03.11.2020
Исправленный вариант: 10.11.2020
Принята в печать: 11.11.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 112, Issue 12, Pages 774–779
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020240054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 813–819; JETP Letters, 112:12 (2020), 774–779
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AniBabBre20}
\by А.~Н.~Анисимов, Р.~А.~Бабунц, И.~Д.~Бреев, В.~А.~Солтамов, Е.~Н.~Мохов, П.~Г.~Баранов
\paper Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 112
\issue 12
\pages 813--819
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6325}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820240052}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46746937}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 112
\issue 12
\pages 774--779
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020240054}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000620580800005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85101782332}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6325
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i12/p813
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:85
    PDF полного текста:7
    Список литературы:17
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024