|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C
Р. А. Бабунцa, Ю. А. Успенскаяa, А. С. Гуринa, А. П. Бундаковаa, Г. В. Маминb, А. Н. Анисимовa, Е. Н. Моховa, П. Г. Барановa a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
b Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Аннотация:
Определены частоты электронно-ядерных взаимодействий с ядрами $^{13}$C и $^{29}$Si на удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде нейтральных Si-C дивакансий в кристалле карбида кремния гексагонального политипа 6H-SiC, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C. Применялись методы высокочастотного двойного электронно-ядерного резонанса и оптически детектируемого магнитного резонанса в условиях оптического выстраивания спинов. Обнаружены осцилляции электронной спиновой плотности на ядрах $^{29}$Si и $^{13}$C. Переходы ядерного магнитного резонанса на ларморовских и близких к ним частотах $^{13}$C и $^{29}$Si вызывают гигантские изменения населенностей спиновых подуровней с трансформацией этих резонансов в сигналы электронного парамагнитного резонанса и оптические сигналы.
Поступила в редакцию: 02.09.2022 Исправленный вариант: 05.09.2022 Принята в печать: 06.09.2022
Образец цитирования:
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489; JETP Letters, 116:7 (2022), 485–492
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6774 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i7/p481
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | Список литературы: | 4 | Первая страница: | 4 |
|