|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2319–2335
(Mi ftt9735)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводники
Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC
М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Открытие уникальных магнитооптических свойств спиновых центров в карбиде кремния, дающих возможность управлять спинами малых массивов центров атомарных размеров вплоть до одиночных центров при комнатных температурах, с использованием техники оптического детектирования магнитного резонанса, поставило ряд проблем, среди которых одной из основных является создание условий, при которых минимизируются эффекты спиновой релаксации. Как показали исследования свойств спиновых азотно-вакансионных центров в алмазе, основной вклад в спиновую релаксацию вносит взаимодействие с донорами азота, являющихся основной примесью в алмазе. В карбиде кремния существует подобная проблема, поскольку основной фоновой примесью также являются доноры азота. Задачей настоящей работы является исследование пространственного распределения спиновой плотности доноров азота в двух основных политипах карбида кремния 4$H$-SiC и 6$H$-SiC, с целью использования этой информации для минимизации взаимодействия доноров азота со спиновыми центрами в карбиде кремния. Проанализированы результаты исследований методами магнитного резонанса и установлено распределение спиновой плотности на ближайших координационных сферах донора азота, занимающего положение углерода в карбиде кремния. Делается вывод, что спиновые центры в политипе 4$H$-SiC, включающие вакансию кремния, могут быть более устойчивы к взаимодействиям с неспаренными донорными электронами, поскольку в этом случае электроны не локализуются на ближайшей к спиновому центру координационной сфере.
Поступила в редакцию: 24.05.2016
Образец цитирования:
М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2319–2335; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9735 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2319
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 11 |
|